[发明专利]机台恢复处理的方法和装置有效
申请号: | 201010153904.X | 申请日: | 2010-04-13 |
公开(公告)号: | CN102222600A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 郭腾冲;莫尤清;董海龙;高雪清;王伦国;隋云飞;陈晓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 谢安昆;宋志强 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机台 恢复 处理 方法 装置 | ||
1.一种机台恢复处理的方法,预先建立通用工艺流程,其中通用工艺流程的工艺参数为空,该方法包括:
A、确定恢复处理流程的工艺参数;
B、根据所述通用工艺流程和恢复处理流程的工艺参数,生成恢复处理流程;
C、机台按照恢复处理流程对晶片进行处理。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定恢复处理流程的工艺参数的方法包括:
A1、接收操作员MA输入的发生故障或报警的机台信息,并指示EE根据发生故障或报警的机台信息对所述机台进行检查;
A2、接收设备工程师EE输入的故障或报警信息,并指示PE根据机台故障或报警信息制定恢复处理流程的工艺参数;
A3、接收制程工程师PE输入的所制定的恢复处理流程的工艺参数。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤A3之后,该方法进一步包括:A4、接收制程工程师组长PE Leader输入的审核信息,若审核信息表明步骤所述恢复处理流程的工艺参数没有问题,则执行步骤B,若审核信息表明所述恢复处理流程的工艺参数存在问题,则返回步骤A2。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
步骤A1之后,该方法进一步包括:保存MA输入的发生故障或报警的机台信息;
步骤A2之后,该方法进一步包括:保存EE输入的故障或报警信息;
步骤A3之后,该方法进一步包括:保存PE输入的所制定的恢复处理流程的工艺参数;
步骤A4之后,该方法进一步包括:保存PE Leader输入的审核信息。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,保存发生故障或报警的机台信息、故障或报警信息、恢复处理流程的工艺参数和审核信息后,该方法进一步包括:根据任意一个发生故障或报警的机台信息查询所述机台的故障或报警信息、恢复处理流程的工艺参数和审核信息。
6.一种机台恢复处理的装置,该装置包括:通用工艺流程建立模块、工艺参数确定模块、恢复处理流程生成模块和处理模块;其中,
所述通用工艺流程建立模块,用于预先建立通用工艺流程,其中通用工艺流程的工艺参数为空;
所述工艺参数确定模块,用于确定恢复处理流程的工艺参数;
所述恢复处理流程生成模块,用于根据所述通用工艺流程和恢复处理流程的工艺参数,生成恢复处理流程;
所述处理模块,用于控制机台按照恢复处理流程对晶片进行处理。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述工艺参数确定模块包括:第一接收单元、第二接收单元和第三接收单元,其中:
所述第一接收单元,用于接收操作员MA输入的发生故障或报警的机台信息,并指示EE根据发生故障或报警的机台信息对所述机台进行检查;
所述第二接收单元,用于接收设备工程师EE输入的故障或报警信息,并指示PE根据机台故障或报警信息制定恢复处理流程的工艺参数;
所述第三接收单元,用于接收制程工程师PE输入的所制定的恢复处理流程的工艺参数。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述工艺参数确定模块进一步包括:第四接收单元,用于接收制程工程师组长PE Leader输入的审核信息,若审核信息表明步骤所述恢复处理流程的工艺参数没有问题,则执行所述恢复处理流程生成模块,若审核信息表明所述恢复处理流程的工艺参数存在问题,则返回执行所述第三接收单元。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,该装置进一步包括:第一保存模块、第二保存模块、第三保存模块和第四保存模块;其中,
所述第一保存模块,用于保存第一接收单元所接收的发生故障或报警的机台信息;
所述第二保存模块,用于保存第二接收单元所接收的故障或报警信息;
所述第三保存模块,用于保存第三接收单元所接收的恢复处理流程的工艺参数;
所述第四保存模块,用于保存第四接收单元所接收的审核信息。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,该装置进一步包括:查询模块,用于根据第一保存模块中任意一个发生故障或报警的机台信息在第二保存模块、第三保存模块和第四保存模块中查询所述机台的故障或报警信息、恢复处理流程的工艺参数和审核信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造