[发明专利]发光二极管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010152478.8 申请日: 2010-04-15
公开(公告)号: CN102222752A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 林建明;陈秀莲;黄泽语 申请(专利权)人: 珠海市力丰光电实业有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 李双皓
地址: 519000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.发光二极管,包括有:电极套件(1)、安装在电极套件(1)正面的芯片(3)、连线(4)以及电极(5),其特征在于:所述发光二极管采用两层式结构,所述电极套件(1)形成所述发光二极管的第一层;所述发光二极管还包括有胶饼(2),所述胶饼(2)覆盖在电极套件(1)的正面,并将所述芯片(3)、连线(4)、以及电极(5)覆盖在胶饼(2)和电极套件(1)之间;所述胶饼(2)形成所述发光二极管的第二层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述电极套件(1)包括有基板,基板的正面设置有芯片邦定区,所述芯片(3)固定在芯片邦定区内;所述电极套件(1)还包括有热沉(6),热沉(6)镶嵌在基板的背面。

3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:所述基板采用耐高低温金属PCB或陶瓷材料制成,热沉(6)采用高导热金属或陶瓷材料制成;所述基板的正面是一个平面,且设置有线路,所述线路采用铜箔镀金或镀银制成;所述胶饼(2)为圆形、方形或异形的薄柱体。

4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于:所述电极(5)包括有正、负电极组,电极组由纯铜镀银或纯铜镀金制成;所述正、负电极组由电极套件1表面铜箔一对一相连接,组与组互不连通且相互绝缘;两组或多组连线(4)从芯片(3)上方的电极分别开始,将芯片(3)与电极套件(1)上的电极(5)分别连通。

5.如权利要求1至4中任何一项所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:包括如下加工步骤:

步骤一:备料,备齐二极管晶粒(11)、晶粒邦定材料(12)和发光二极管外形底板(13);

步骤二:固晶、焊线以及筛选半成品;即:固定芯片位置,焊接连线后形成二极管半成品并进行良品筛选;

步骤三:固定二极管半成品及模具;即:将二极管半成品固定到模具相应的位置;

步骤四:备胶;即:准备制作胶饼的硅胶原料(9);

步骤五:刷胶;即:将制作胶饼的硅胶原料(9)涂刷到发光二极管外形底板(13)的正面,并由模具限定相应的涂刷位置和厚度;

步骤六:加温固化;即:对涂刷有硅胶原料(9)的发光二极管外形底板(13)加温使硅胶原料(9)固化。

6.根据权利要求5所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:还包括:步骤七:切割底板,即:将连带二极管晶粒(11)和硅胶原料(9)的发光二极管外形底板(13)切割成发光二极管成品。

7.根据权利要求5或6所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤二中,在发光二极管外形底板(13)所设置有晶粒邦定区(22),涂覆晶粒邦定材料(12)后,把二极管晶粒(11)分别固定在相应的晶粒邦定区(22)内;(21)为发光二极管外形底板(13)表面的电极;利用连线(4)把每一二极管晶粒电极,连接于底板相应的电极(21)上,并筛选出良品二极管半成品(7)。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤三中,模具(8)具有挖空部分(81),所述挖空部分(81)的排数和位置与二极管晶粒(11)的排数和位置一致,将二极管半成品(7)固定于一工作台,并相应安装好模具(8),调整模具对准发光区域;二极管晶粒(11)对齐模具(8)的挖空部分(81),二极管晶粒(11)的顶面低于挖空部分(81)的顶面。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤五中,一定比例配置好硅胶原料(9),倒入模具(8)的挖空部分(81)内,用刷子(91)左右上下匀速运动刷模具(8)内的硅胶原料(9),将二极管晶粒(11)的顶面和挖空部分(81)的顶面之间的空间填平。

10.根据权利要求9所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤六中,取出模具(8)松开发光二极管外形底板(13),使模具(8)与发光二极管外形底板(13)分离并置发光二极管外形底板(13)于加温区上,使用烘箱或平板加热装置(10)对涂刷有硅胶原料(9)的二极管半成品(7)进行加热使硅胶原料(9)固化。

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