[发明专利]一种高电压输入的电压跟随器无效
| 申请号： | 201010152068.3 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101820255A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杨维明;潘希武;杨武韬;吴国婧;张豪杰;杨道虹 | 申请（专利权）人： | 湖北大学;武汉博而硕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 输入 跟随 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电压输入的电压跟随器，所述电压跟随器由运放电路、输入 级、输出级、钳位电路和恒流源电路组成，其特征在于在电路中低压场效应管 M1，M2，M3，M4，M5，M9和M12构成标准的运放电路，耐高压的NMOS高压管 M10为电压跟随器的输出级，电压跟随器的输入接在耐高压的NMOS高压管M11 的栅极上，高压管M10和M11的漏端均连接到高的电源电压端VB，场效应管 M6，M7，M8通过栅漏相连的方式连接成钳位电路，PMOS场效应管M5，M8，M9的 源端连接到结点1，NMOS场效应管M3，M4，M6，M12，以及高压NMOS管M11的 源端连接到结点2，NMOS管M12的栅端连接在结点3上，高压NMOS管M10的 栅端连接到结点4上，高压管M10的源端接到结点5上，结点5与该电压跟随 器的输出直接相连，PMOS场效应管M2的栅极连接到结点6上，高压NMOS管M11 的栅极也连接到结点6上，结点6直接与该电压跟随器的输入端相连，电流源 I1的两端分别接地和结点2上，电流源I2的两端分别接在结点1和结点7上， 电流源I3的两端分别接到地和结点5上。
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