[发明专利]一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法

权利要求书

1.一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)从刻制有应变片的母盘中分离出应变片；

(2)在用于支撑应变片的应变片传感器结构承载件上涂印用于固定应变片的固定胶；

(3)将应变片对正放置于固定胶上；

(4)将固定胶加温熔化，使应变片沉入熔化的固定胶至设定的深度，待固定胶冷却后，应变片就永久地固定于传感器结构承载件上。

2.如权利要求1所述的一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述母盘为硅晶圆片，所述应变片刻制于硅晶圆片的正面，用腐蚀剂腐蚀硅晶圆片的反面，将硅晶圆片中除应变片外的其余部分腐蚀掉，从硅晶圆片中分离出应变片。

3.如权利要求2所述的一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法，其特征在于：掩盖住硅晶圆片的正面，腐蚀其反面直到应变片从硅晶圆片中分离出来。

4.如权利要求1所述的一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述传感器结构承载件上设有相对为一平面的压力薄膜，所述固定胶涂覆于压力薄膜上。

5.如权利要求4所述的一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法，其特征在于：在步骤(2)之前还可以有步骤A，在步骤A中，加工处理压力薄膜，得到适合微熔的表面。

6.如权利要求4所述的一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法，其特征在于：在步骤(2)中，用机械或手动的方式将固定胶涂印于压力薄膜上。

7.如权利要求1所述的一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法，其特征在于：在步骤(3)中，先将应变片和固定胶中至少之一涂上粘胶，后将应变片粘贴到固定胶上的指定位置，粘贴时使用显微镜或视觉系统。

8.如权利要求1所述的一种使用微熔技术制造应变片传感器的方法，其特征在于：在步骤(4)之后，还有一步骤B，在步骤B中，将粘贴有应变片的传感器结构承载件放入加温炉加热至200～300℃，保持加温炉中的温度5～20小时，以改善传感器微熔元件的稳定性以及消除固定胶的内应力。