[发明专利]发光元件、发光器件和电子设备有效
申请号: | 201010150737.3 | 申请日: | 2006-04-17 |
公开(公告)号: | CN101853923A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 器件 电子设备 | ||
本分案申请是基于申请号为200680022551.1(国际申请号为PCT/JP2006/308481),申请日为2006年4月17日,发明名称为“发光元件、发光器件和电子设备”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光元件,其具有在电极之间包含发光物质的层,本发明还涉及具有该发光元件的发光器件以及电子设备。
背景技术
近年来作为显示装置的像素或照明装置的光源吸引注意力的发光元件,具有在电极之间的发光层,而且包含在该发光层中的发光物质在电极之间有电流流过时发光。
在这种发光元件的研发领域,重要的目的之一是要延长发光元件的使用寿命。这是因为为发光器件提供的发光元件需要令人满意地长时间运行,以便在令人满意的条件下长时间使用发光器件如照明装置或显示装置。
作为实现发光元件的寿命延长的技术之一,例如在专利文献1(专利文献1:日本专利公开文本H9-63771)中提到了一种涉及使用氧化钼等等作为阳极的发光元件的技术。
可以想到专利文献1中提到的技术也是有效的;但是,氧化钼很容易结晶,因此在专利文献1提到的技术中,很容易出现发光元件由于结晶而产生运行故障的问题。此外,氧化钼具有较低的电导率;因此如果由氧化钼制成的层太厚则电流不容易流过。
发明内容
本发明的一个目的是要提供一种发光元件,该发光元件可以减少由于在电极之间的层中包含的化合物结晶而导致的运行故障。
本发明的一个方面是一种发光元件,其具有在一对电极之间包括芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制;但是,具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃,例如2-叔丁基-9,10-双(2-萘基)蒽、蒽、9,10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物,展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物,例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
本发明的一个方面是一种发光元件,其在第一电极和第二电极之间具有发光层,以及在该发光层和第一电极之间包括芳族烃和金属氧化物的层。当对每个电极施加电压,使得第一电极的电位高于第二电极的电位时,包含在发光层中的发光物质就发射光。对芳族烃的种类没有什么特殊限制;但是,具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃,例如2-叔丁基-9,10-双(2-萘基)蒽、蒽、9,10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物,展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
本发明的一个方面是一种发光元件,其在第一电极和第二电极之间具有发光层、第一混合层和第二混合层,其中当对每个电极施加电压,使得第一电极的电位高于第二电极的电位时,包含在发光层中的发光物质就发射光。在这种发光元件中,发光层比第一混合层更靠近第一电极,而且第二混合层比第一混合层更靠近第二电极。第一混合层是包括电子传输物质和从碱性金属、碱土金属、碱性金属氧化物、碱土金属氧化物、碱性金属氟化物以及碱土金属氟化物中选择的一种物质的层。在此,作为碱性金属例如给出锂(Li)、钠(Na)、钾(K)等。作为碱土金属,例如给出镁(Mg)、钙(Ca)等。作为碱性金属氧化物,例如给出氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)等。作为碱土金属氧化物,给出氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)等。作为碱性金属氟化物,给出氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)等。作为碱土金属氟化物,给出氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)等。第二混合层是包括芳族烃和金属氧化物的层。在此,对芳族烃的种类没有什么特殊限制;但是,具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃,例如2-叔丁基-9,10-双(2-萘基)蒽、蒽、9,10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物,展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010150737.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择