[发明专利]一种新型硅基薄膜太阳能电池及其封装方法无效
申请号: | 201010148340.0 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN102222711A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 陆晓曼;罗培青;章昌台;高石崇;郑加镇;訾威;丁敦庆 | 申请(专利权)人: | 江苏百世德太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
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地址: | 215104 江苏省苏州市吴中区吴中大*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 薄膜 太阳能电池 及其 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种新型硅基薄膜太阳能电池及其封装方法,属于光伏电池制造领域。
背景技术
目前国内外普遍采用硅基薄膜太阳能电池组件的封装方法是在前板和背板之间夹一整片PVB或EVA封装材料,通过层压工艺,使前板、封装材料和背板结合在一起,形成一片完整层压片。此封装方法存在以下缺点:1、PVB和EVA的阻水性能不是很好,尤其是EVA,阻水性能更差。采用这种封装方式,水汽会从组件的边缘进入组件,降低组件的电学性能和可靠性;2、当组件的汇流带从组件侧边引出,而不是从打孔的背板引出时,在汇流带从组件边沿引出处,汇流带与有发电膜面直接紧贴,两者间没有密封材料进行密封,水汽极容易顺着汇流带进入组件内部,导致组件电学性能降低甚至失败,严重影响组件的可靠性。尤其是在生产BIPV组件时,一般要求汇流带必须从组件的侧边引出,更容易出现上述问题。
发明内容
针对上述存在的技术问题,本发明的目的是:提出了一种能防止水汽从封装材料或者引出端汇流带进入组件内部的新型硅基薄膜太阳能电池封装方法。
本发明的技术解决方案是这样实现的:一种新型硅基薄膜太阳能电池,包含前板组件、封装膜、汇流带、硅胶胶片、背板玻璃;所述前板组件,包含浮法玻璃、透明导电薄膜、硅薄膜、背电极;所述浮法玻璃、透明导电薄膜、硅薄膜、背电极依次叠加形成前板组件;所述封装膜的尺寸比前板组件小,四边距前板组件四周5-30mm;在所述封装膜的四周放上厚度相同的硅胶胶片;所述汇流带引出端放在两层硅胶胶片之间,贴近前板组件的硅胶胶片层薄些,两层硅胶胶片的厚度和与封装膜一样;所述背板玻璃设置在封装膜上,其外形与前板组件相同。
优选的,所述封装膜为PVB或者EVA胶片。
优选的,所述新型硅基薄膜太阳能电池的封装方法:
1)、在浮法玻璃上沉积透明导电薄膜;
2)、利用等离子体化学气相沉积技术(PECVD)沉积硅薄膜;
3)、利用溅射或化学气相沉积技术制备背电极;
4)、溅射或印刷背反射层;
5)、边缘绝缘处理;
6)、依次在前板组件上放PVB和合适厚度的硅胶片,汇流带引出处放在两硅胶片中间;
7)、盖上背板玻璃,并进行层压,形成完整组件;
8)、安装接线盒。
本发明具有如下的优点:
1)整条生产线不需要添加额外的设备
2)硅胶具有比PVB、EVA更好的阻水性能,封装在组建边缘,能更有效减少水汽进入组件内部,提高组件的可靠性和降低组件电学性能损失;
3)封装在汇流带引出端的硅胶,能很好的把汇流带和前板玻璃导电膜面之间进行密封,阻断水汽从此处进入组件内部,更适合汇流带必须从侧边引出的BIPV组件封装;
4)硅胶的价格与PVB或EVA价格相当,或者稍微低些,不会额外增加生产组件的原材料成本;
5)硅胶具有比PVB或EVA更好的耐候性,提高组件的可靠性能;
6)有机硅胶与PVB或者EVA兼容性较好,两者相邻层压,不会使相互性能降低,且层压出的组件比较美观。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
图1:本发明新型硅基薄膜太阳能电池的结构图;
图2:硅薄膜电池组件背面图;
其中:1、浮法玻璃;2、透明导电薄膜;3、硅薄膜;4、背电极;5、硅胶胶片;6、封装膜;7、背板玻璃;8、汇流带。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明所述的技术方案进行详细说明:
如附图1、2为本发明所述的新型硅基薄膜太阳能电池,包含前板组件、封装膜6、汇流带8、硅胶胶片5、背板玻璃7;所述前板组件,包含浮法玻璃2、透明导电薄膜2、硅薄膜3、背电极4;所述浮法玻璃1、透明导电薄膜2、硅薄膜3、背电极4依次叠加形成前板组件;所述封装膜6的尺寸比前板组件小,四边距前板组件四周5-30mm;在所述封装膜6的四周放上厚度相同的硅胶胶片5;所述汇流带8引出端放在两层硅胶胶片5之间,贴近前板组件的硅胶胶片5层薄些,两层硅胶胶片的厚度和与封装膜6一样;所述背板玻璃7设置在封装膜6上,其外形与前板组件相同;所述硅薄膜6为PVB或者EVA胶片。
所述新型硅基薄膜太阳能电池的封装方法:
1)、在浮法玻璃上沉积透明导电薄膜;
2)、利用等离子体化学气相沉积技术(PECVD)沉积硅薄膜;
3)、利用溅射或化学气相沉积技术制备背电极;
4)、溅射或印刷背反射层;
5)、边缘绝缘处理;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的