[发明专利]可变动态范围像素传感器单元、设计结构及方法有效
| 申请号： | 201010148235.7 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101917558A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | J·J·埃利斯-莫纳甘;M·D·贾菲;C·F·穆萨恩特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N3/15;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可变 动态 范围 像素 传感器 单元 设计 结构 方法 | ||
1.一种像素传感器单元电路，包括：
光电二极管，其与传输门晶体管的第一源极/漏极区域串联耦合；
浮置扩散区，其与所述传输门晶体管的第二源极/漏极区域串联耦合；
列电路输出端，其通过与所述浮置扩散区相连的源极跟随器晶体管的栅极与所述浮置扩散区耦合，所述源极跟随器晶体管与行选择晶体管串联耦合，所述行选择晶体管的源极/漏极区域提供所述列电路输出端；以及
列电路，其与所述列电路输出端相连，所述列电路包括至少两个通过门晶体管，所述通过门晶体管具有与所述列电路输出端并联连接的第一源极/漏极区域，每个通过门晶体管还具有与单独的数据存储电容器串联连接的第二源极/漏极区域。
2.如权利要求1中所述的像素传感器单元电路，其中所述列电路包括两个单独的数据存储电容器。
3.如权利要求1中所述的像素传感器单元电路，其中所述列电路包括至少三个单独的数据存储电容器。
4.如权利要求1中所述的像素传感器单元电路，其中所述像素传感器单元电路包括至少四个未包括在所述列电路内的晶体管。
5.如权利要求1中所述的像素传感器单元电路，其中所述像素传感器单元电路包括至少六个未包括在所述列电路内的晶体管。
6.如权利要求1中所述的像素传感器单元电路，其中所述像素传感器单元电路包括共享像素体系结构。
7.如权利要求1中所述的像素传感器单元电路，其中所述像素传感器单元电路包括切换干线体系结构。
8.一种体现在机器可读介质中的设计结构，所述设计结构包括像素传感器单元电路，所述像素传感器单元电路包括：
光电二极管，其与传输门晶体管的第一源极/漏极区域串联耦合；
浮置扩散区，其与所述传输门晶体管的第二源极/漏极区域串联耦合；
列电路输出端，其通过与所述浮置扩散区相连的源极跟随器晶体管的栅极与所述浮置扩散区耦合，所述源极跟随器晶体管与行选择晶体管串联耦合，所述行选择晶体管的源极/漏极区域提供所述列电路输出端；以及
列电路，其与所述列电路输出端相连，所述列电路包括至少两个通过门晶体管，所述通过门晶体管具有与所述列电路输出端并联连接的第一源极/漏极区域，每个通过门晶体管还具有与单独的数据存储电容器串联连接的第二源极/漏极区域。
9.如权利要求8中所述的设计结构，其中所述设计结构包括网表。
10.如权利要求8中所述的设计结构，其中所述设计结构作为用于交换集成电路布图数据的数据格式存在于存储介质上。
11.如权利要求8中所述的设计结构，其中所述列电路包括两个单独的数据存储电容器。
12.如权利要求8中所述的设计结构，其中所述列电路包括至少三个单独的数据存储电容器。
13.如权利要求8中所述的设计结构，其中所述像素传感器单元电路包括至少四个未包括在所述列电路内的晶体管。
14.如权利要求8中所述的设计结构，其中所述像素传感器单元电路包括至少六个未包括在所述列电路内的晶体管。
15.如权利要求8中所述的设计结构，其中所述像素传感器单元电路包括共享像素体系结构。
16.如权利要求8中所述的设计结构，其中所述像素传感器单元电路包括切换干线体系结构。
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