[发明专利]一种原位合成A1N/A1电子封装材料的方法无效
| 申请号： | 201010147925.0 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101829784A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 朱明;王明静;王志华;王晓刚;杜双明;陈伟 | 申请（专利权）人： | 西安科技大学 |
| 主分类号： | B22F3/16 | 分类号： | B22F3/16 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原位 合成 a1n a1 电子 封装 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法，其特征在于，合成过程为：将摩尔比为3～6∶1的Al粉和NH4Cl粉均匀混合后，先在20～30MPa压力下模压成型，再在200～400MPa压力下冷等静压成型，将冷等静压成型后的生坯放入石墨模具中，随后放入热压烧结炉中，预抽真空至0.05Pa后关闭热压烧结炉的真空阀，通入氮气使热压烧结炉内气压回升至常压，升温700～1000℃烧结，烧结过程中施加20～40MPa的压力，保温60～120分钟，随炉冷却后即制成AlN/Al复合材料。
2.按照权利要求1所述的一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法，其特征在于：所述Al粉的质量纯度为99.8％，NH4Cl粉的质量纯度为99.9％，所述氮气的体积纯度≥99.8％。
3.按照权利要求1所述的一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法，其特征在于：所述AlN/Al复合材料的致密度为98～99.4％，热导率为190w.m-1.k-1～210w.m-1.k-1，热膨胀系数为5.8×10-6K-1～6.2×10-6K-1。
4.按照权利要求1所述的一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法，其特征在于：所述AlN/Al复合材料中AlN的体积分数为60～85％。
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