[发明专利]一种半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010145265.2 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102214562A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
硅衬底；
形成于所述硅衬底上的宽带隙半导体层；以及
形成于所述宽带隙半导体层上的硅层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述宽带隙半导体层由以下任一种或多种的组合形成：GaP、GaAs、AlAs。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述宽带隙半导体层包括至少一层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述宽带隙半导体层的厚度是5～50nm。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述硅层的厚度是5～20nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，所述宽带隙半导体层由宽带隙半导体材料形成，所述宽带隙半导体材料的带隙宽度大于1.5eV。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构，形成所述宽带隙半导体层的半导体材料的晶格常数与Si的晶格常数的差值小于等于2％。
8.一种制造半导体结构的方法，包括：
在硅衬底上生长宽带隙半导体层；和
在所述宽带隙半导体层上生长硅层。
9.根据权利要求8所述的方法，所述在硅衬底上生长宽带隙半导体层具体为：
在硅衬底上生长由以下任一种或多种的组合形成的宽带隙半导体层：GaP、GaAs、AlAs。
10.根据权利要求8所述的方法，所述在硅衬底上生长宽带隙半导体层包括：
在所述硅衬底上生长至少一层宽带隙半导体层。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述宽带隙半导体层的厚度是5～50nm。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述硅层的厚度是5～20nm。
13.根据权利要求8所述的方法，所述宽带隙半导体层由宽带隙半导体材料形成，所述宽带隙半导体材料的带隙宽度大于1.5eV。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的方法，形成所述宽带隙半导体层的半导体材料的晶格常数与Si的晶格常数的差值小于等于2％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
