[发明专利]一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法

权利要求书

1.一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法，其特征在于，该方法包括：

用半导体参数测试仪对半导体器件进行测试，得到该半导体器件的原始数据；

用提参软件从该半导体器件的原始数据中提取参数，得到旧模型参数；

在得到的旧模型参数中加入宏模型，形成含有未知参数的总剂量辐照准新模型；

获取新模型参数，将该新模型参数加入到含有未知参数的总剂量辐照准新模型中，形成新模型。

2.根据权利要求1所述的对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法，其特征在于，所述在旧模型参数中加入的宏模型，是在旧模型的基础上以子电路的形式加入了相关参数随总剂量辐照变化的函数。

3.根据权利要求2所述的对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法，其特征在于，如果总剂量辐照对半导体器件性能的影响与半导体器件尺寸有关，则宏模型中应该体现出总剂量效应与器件尺寸的关系，并且应对多个尺寸的的器件进行测试与拟合。

4.根据权利要求1所述的对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法，其特征在于，所述获取新模型参数包括：

将半导体器件经历总剂量辐照，然后用半导体参数测试仪测试该半导体器件得到该半导体器件的新数据；

用提参软件从该半导体器件的新数据中提取参数，得到新模型参数。