[发明专利]显示基板及其制造方法、薄膜晶体管驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制造方法，以及薄膜晶体管驱动方法。

背景技术

液晶面板的像素阵列包括交错设置的多行栅线和多列数据线，在实际工作中，可以通过栅线驱动装置为像素阵列的多行栅线提供开关信号，从而控制该多行栅线依序打开，并由对应行的数据线向像素阵列中的像素电极充电，以显示每一帧图像。

由上述可知，液晶面板在工作时栅线驱动装置是依序逐行打开栅线开关的，当某一行的栅线开关打开时加载在该行栅线上的电压为27V，此时其他行栅线上的电压为-8V。由于对栅线的驱动采用的是依序逐行打开的方式，因此在大部分时间里某一行的栅线都处于关断状态，即处于-8V的负偏压之下。如图1所示，图1为现有技术中的显示基板沿其薄膜晶体管的截面图，在长时间利用一个栅线(与栅极11位于同一层并与栅极11相连，未图示)在薄膜晶体管的下方对该薄膜晶体管(包括栅极11、源极12、漏极13以及由半导体层14和掺杂半导体层15形成的有源层等)进行单边驱动后，处于该负偏压之下的薄膜晶体管容易使打开栅线开关所需的阈值电压产生偏移，从而影响该薄膜晶体管的工作稳定性。

图2至图5分别说明了在栅线上加载负偏压和正偏压时，I_D-V_G曲线的偏移情况以及驱动薄膜晶体管的阈值电压偏移情况。如图2所示，当在栅线上加载负偏压时，一段时间后(如7200s)I_D-V_G曲线向左偏移，此时如图3所示，驱动薄膜晶体管的阈值电压随着承受负偏压时间的增加而减小。如图4所示，当在栅线上加载正偏压时，一段时间后(如7200s)I_D-V_G曲线向右偏移，此时如图5所示，驱动薄膜晶体管的阈值电压随着承受正偏压时间的增加而增大。

由此可知，这样长时间对薄膜晶体管进行单边驱动(如长时间仅在薄膜晶体管的下方对该薄膜晶体管加载负偏压或正偏压)之后，将使驱动薄膜晶体管的阈值电压产生偏移，且这种偏移在短时间内难以消失，最终导致液晶面板显示画面的不良。

发明内容

本发明的实施例提供一种显示基板，以较好地防止驱动薄膜晶体管的阈值电压产生偏移。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种显示基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极和所述栅线连接，源极和所述数据线连接，漏极和所述像素电极连接，其中所述栅线包括并行的正向栅线和反向栅线，所述薄膜晶体管的栅极包括设于所述薄膜晶体管的源极和漏极下方的正向栅极和设于所述薄膜晶体管的源极和漏极上方的反向栅极，所述正向栅极和所述正向栅线连接，所述反向栅极和所述反向栅线连接。

本发明实施例提供的显示基板，由于在所述薄膜晶体管的源极和漏极的下方设有正向栅极、上方设有反向栅极，因此当加载在所述正向栅极上的负偏压(正偏压)使驱动薄膜晶体管的阈值电压向某一方向偏移时，加载在所述反向栅极上的负偏压(正偏压)则使驱动薄膜晶体管的阈值电压向相反的方向偏移，这两个方向上的偏移能够相互抵消，从而使本发明实施例能够较好地防止驱动薄膜晶体管的阈值电压产生偏移。

本发明的实施例还提供了显示基板的制造方法，以较好地防止驱动薄膜晶体管的阈值电压产生偏移。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种显示基板制造方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺形成正向栅线、反向栅线和正向栅极，所述正向栅线和所述正向栅极连接；

在形成有所述正向栅线、反向栅线和正向栅极的基板上形成薄膜晶体管的源极和漏极，所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述正向栅极上方；

在形成有所述薄膜晶体管的源极和漏极的基板上形成反向栅极，所述反向栅极位于所述薄膜晶体管的源极和漏极上方，且所述反向栅极和所述反向栅线连接。

一种显示基板制造方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺形成正向栅线和正向栅极，所述正向栅线和所述正向栅极连接；

在形成有所述正向栅线和正向栅极的基板上形成薄膜晶体管的源极和漏极，所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述正向栅极上方；