[发明专利]薄膜太阳能结构及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池结构，其包含：

基材；

导电层，形成于该基材上具有复数个第一凹槽及复数个第二凹槽，其中所述第一凹槽与这些组件的串接方向垂直，所述第二凹槽与这些组件的该串接方向平行；

主动层，顺应性地形成于该导电层上，具有复数个第三凹槽、复数个第四凹槽及复数个第五凹槽，其中所述第三凹槽及所述第四凹槽与这些组件的该串接方向垂直，所述第五凹槽与这些组件的该串接方向平行；以及

透明导电层，顺应性地形成于该主动层上，具有复数个第六凹槽及复数个第七凹槽，其中所述第六凹槽相对应于所述第四凹槽，所述第六凹槽与这些组件的该串接方向垂直，所述第七凹槽相对应于所述第五凹槽，所述第七凹槽与这些组件的该串接方向平行。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池结构，其中所述基材为玻璃、具有可挠性的金属箔或高分子材料，其中所述具有可挠性的金属箔为不锈钢箔、铜箔或铝合金箔，所述高分子材料为聚亚酰胺。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池结构，其中所述导电层选自钼、钽、钨、钛、铜、铝等及不锈钢之一。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池结构，其中所述主动层为光吸收层。

5.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池结构，其中所述光吸收层选自I BIIIAVIA族的化合物(黄铜矿结构，Chalcopyrites)之一。

6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池结构，其中所述IB族材料为铜，所述IIIA族材料选自铟及镓其中之一，所述IIIA族材料包括铟及镓，所述VIA族材料选自硒及硫其中之一，所述VIA族材料包括硒及硫，所述VIA族材料选自硒及硫其中之一，所述VIA族材料包括硒及硫。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池结构，其中所述透明导电层为聚透光导电功能的透光导电氧化层(TCO)，该透明导电层的材料为氧化镍/金(NiO/Au)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)或氧化铝锌(AlZnO)。

8.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池结构，其还包含缓冲层，其中该缓冲层的材料为硫化镉(CdS)、硫化铟(InS)、硒化铟(InSe)、硫化锌(ZnS)或氧化镁锌(ZnMgO)。

9.一种薄膜太阳能电池的制造方法，该方法包括步骤：

提供基材；

在该基材上形成导电层；

移除部分所述导电层，以形成复数个第一凹槽及复数个第二凹槽，其中所述第一凹槽与这些组件的串接方向垂直，所述第二凹槽与这些组件的该串接方向平行；

在该导电层上顺应性地形成主动层；

移除部分的该主动层，以形成复数个第三凹槽，所述第三凹槽与这些组件的该串接方向垂直；

在该主动层上顺应性地形成透明导电层；

移除部分的所述透明导电层及部分的所述主动层，以形成复数个第四凹槽及复数个第六凹槽，其中所述第六凹槽相对应于所述第四凹槽，所述第四凹槽及所述第六凹槽与这些组件的该串接方向垂直；以及

移除部分的所述透明导电层及部分的所述主动层，以形成复数个第五凹槽及复数个第七凹槽，其中所述第七凹槽相对应于所述第五凹槽，所述第五凹槽及所述第七凹槽与这些组件的该串接方向平行。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述导电层系以溅镀法形成，所述第一凹槽及所述第二凹槽以雷射刮除方式形成，所述第三凹槽、第四凹槽、第五凹槽、第六凹槽及第七凹槽以机械刮除方式形成，所述主动层以共蒸镀、溅镀硒化、涂布制程、化学喷洒热解法或电沉积方式形成，所述透明导电层以溅镀法形成。