[发明专利]用于正规化半导体器件中的应变的方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成集成电路的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；

在所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管之上形成应力层，所述应力层在所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的沟道区中引起应变；以及

选择性地减薄所述第二场效应晶体管的至少一部分之上的所述应力层。

2.如权利要求1的方法，其中在所述选择性地减薄所述应力层之前，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的沟道区中的应变量的第一差值大于在所述选择性地减薄所述应力层之后所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的所述沟道区中应变量之间的第二差值。

3.如权利要求1的方法，其中在所述选择性地减薄所述应力层之前，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的沟道区中的应变量是不同的，并且在所述选择性地减薄所述应力层之后，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的所述沟道区中的应变量是大约相同的。

4.如权利要求1的方法，其中：

所述第一场效应晶体管具有第一源极/漏极和第二源极/漏极，所述第一源极/漏极具有在第一栅极电极的第一侧上的第一表面积，所述第二源极/漏极具有在所述第一栅极电极的第二侧上的第二表面积；以及

所述第二场效应晶体管具有第三源极/漏极和第四源极/漏极，所述第三源极/漏极具有在第二栅极电极的第一侧上的第三表面积，所述第四源极/漏极具有在所述第二栅极电极的第二侧上的第四表面积；以及

(i)所述第一表面积和所述第二表面积分别大于所述第三表面积和所述第四表面积；以及

所述选择性地减薄所述应力层减薄在所述第三源极/漏极和所述第四源极/漏极之上并且不在所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极之上的所述应力层；或

(ii)所述第一表面积、所述第二表面积和所述第四表面积中的每一个都大于所述第三表面积；以及

所述选择性地减薄所述应力层减薄在所述第三源极/漏极之上但是不在所述第一源极/漏极、所述第二源极/漏极和所述第四源极/漏极之上的所述应力层；或

(iii)所述第一表面积、所述第二表面积和所述第三表面积中的每一个都小于所述第四表面积；以及

所述选择性地减薄所述应力层减薄在小于所述第四源极/漏极的整体的部分之上、但是不在所述第一源极/漏极、所述第二源极/漏极和所述第三源极/漏极以及所述第四源极/漏极的其余部分之上的所述应力层。

5.如权利要求1的方法，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的沟道区中的多数载流子的迁移率在所述选择性地减薄所述应力层之前是不同的，并且所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的所述沟道区中的多数载流子的迁移率在所述选择性地减薄所述应力层之后是大约相同的。

6.如权利要求1的方法，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的沟道区中的多数载流子的迁移率在所述选择性地减薄所述应力层之前是大约相同的，并且所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的所述沟道区中的多数载流子的迁移率在所述选择性地减薄所述应力层之后是不同的。

7.如权利要求1的方法，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管在相应的N型掺杂沟道区的相对侧之上包括P型掺杂的源极/漏极，在相应的栅极电极之下的所述N型掺杂的沟道区通过相应的栅极电介质层与所述沟道区分离，所述应力层受到压应力。

8.如权利要求1的方法，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管在相应的P型掺杂的沟道区的相对侧之上包括N型掺杂的源极/漏极，在相应的栅极电极之下的所述P型掺杂的沟道区通过相应的栅极电介质层与所述沟道区分离，所述应力层受到张应力。

9.一种方法，包括：

确定集成电路的场效应晶体管设计的选定层次的设计图形之间的空间关系；

生成对应变的估计，所述应变是由形成在所述场效应晶体管之上的应力层基于所述空间关系在所述场效应晶体管的沟道区中引起的；

基于所述选定设计层次的所述设计图形和所述对应变的估计生成应力层光掩模；以及

使用所述应力层光掩模，选择性地减薄在所述场效应晶体管的至少一部分之上的所述应力层。