[发明专利]软开关机电路

说明书

技术领域

本发明涉及嵌入式系统电源的开关控制，尤其涉及一种软开关机电路。

背景技术

现有技术实现系统开关机有两种途径：硬开关机和软开关机。

通过硬开关机的方式控制系统电源开启或关断，其优点是实现简单，关机后无待机电流；其缺点是：即使微处理器正在处理关键程序或关键数据时，若按键按下，系统电源也会关断，易造成重要数据的丢失或系统的损坏。

为避免重要数据的丢失或系统的损坏，现有技术通常采用软开关机的方式控制系统电源开启或关断，其优点是即使关机之后也有一部分电路通电，待机工作以实现开机按键检测以便再次开机，其缺点是待机电路要耗费电能。

综上可知，现有的软开关机电路在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

发明内容

针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种软开关机电路，系统关机后彻底切断电源，无待机电流。

为了实现上述目的，本发明提供一种软开关机电路，包括：P沟道MOSFET，其具有源极、栅极和漏极，其源极与外部供电电源连接，其栅极通过第一电阻与所述外部供电电源连接，其漏极与系统电源连接；N沟道MOSFET，其具有源极、栅极和漏极，其源极接地，其栅极通过第二电阻接地，其漏极与所述P沟道MOSFET的栅极连接；隔离部件，其包括两只负极并接在一起的二极管，两只二极管的正极分别为第一极和第二极，两只二极管的负极为第三极，所述第一极与所述P沟道MOSFET的栅极连接，所述第二极通过第四电阻与系统电源连接，所述第三极通过一电源键接地；输入I/O口，与所述隔离部件的第二极连接；输出I/O口，通过第三电阻与所述N沟道MOSFET的栅极连接，所述软开关机电路的开/关机控制流程为：检测所述输入I/O口是否为低电平，若为高电平则程序结束，若为低电平则将所述输出I/O口置为高电平或低电平。

根据本发明的软开关机电路，所述软开关机电路的开/关机控制流程包括：设置一延时，在该延时内持续检测所述输入I/O口是否为低电平。

根据本发明的软开关机电路，所述软开关机电路的开机控制流程还包括：在检测所述输入I/O口是否为低电平之前进行上电初始化。

根据本发明的软开关机电路，所述软开关机电路的关机控制流程还包括：在将所述输出I/O口置为低电平之前对重要数据进行处理。

根据本发明的软开关机电路，所述隔离部件为双二极管。

根据本发明的软开关机电路，所述外部供电电源为直流电源。

根据本发明的软开关机电路，所述电源键为不具自锁功能的轻触按键。

本发明通过P沟道MOSFET、N沟道MOSFET、两只二极管组成的隔离部件以及一个电源键构成自锁电路，开机时通过检测所述输入I/O口是否为低电平，若为低电平则将输出I/O口置为高电平实现电路自锁，从而保证外部供电电源对系统电源进行持续供电；关机时通过检测所述输入I/O口是否为低电平，若为低电平则将输出I/O口置为低电平实现电路解锁，外部供电电源与系统电源断开，从而保证在电源键按下时，系统彻底断电。借此，本发明能够保证系统关机后彻底切断电源，无待机电流。

优选的是，为防止误操作导致开关机，还可在开关机时设置一延时，在该延时的时间段内持续检测所述输入I/O口是否为低电平，若开关机时检测到电源键的按键时间不足，则认为是抖动，不做处理，以提高系统稳定性。

附图说明

图1是本发明的电路结构图；

图2是本发明一种实施例的开机控制流程图；

图3是本发明一种实施例的关机控制流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，本发明一种软开关机电路，包括：

P沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层-半导体-场效晶体管)Q1，其具有源极S、栅极G和漏极D，其源极S与外部供电电源VDD连接，其栅极G通过第一电阻R1与外部供电电源VDD连接，其漏极D与系统电源VDD-SYSTEM连接。外部供电电源VDD为直流电源，如手持式设备的电池以及电源适配器等。

N沟道MOSFET Q2，其具有源极S、栅极G和漏极D，其源极S接地，其栅极G通过第二电阻R2接地，其漏极D与P沟道MOSFET Q1的栅极G连接。