[发明专利]MEMS传感器无效
| 申请号： | 201010142181.3 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101792110A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 仲谷吾郎 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;G01P15/125;G01H11/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 传感器 | ||
1.一种MEMS传感器，包括：
基板，其由硅材料构成，具有从其表面下挖的凹部；
固定电极，其由金属材料构成，配置在所述凹部内，且相对于所述基板固定；和
可动电极，其由金属材料构成，在所述凹部内与所述固定电极对置配置，且以相对于所述固定电极能移位的方式设置。
2.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，
所述固定电极和所述可动电极形成为沿所述凹部的深度方向及其正交方向延伸的板状，并且沿与所述基板表面平行的方向彼此对置。
3.根据权利要求1所述的MEMS传感器，
在所述固定电极中的与所述可动电极对置的表面和在所述可动电极中的与所述固定电极对置的表面被绝缘膜覆盖。
4.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其特征在于，
在所述绝缘膜的表面上形成有波纹状的凹凸。
5.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，
所述可动电极包括：第一可动电极，该第一可动电极沿与所述固定电极对置的方向移位，且用于检测该对置方向的加速度。
6.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，
所述可动电极包括：第二可动电极，该第二可动电极沿所述凹部深度方向移位，且用于检测该深度方向的加速度。
7.根据权利要求6所述的MEMS传感器，其特征在于，
在所述第二可动电极中的与所述凹部的底面对置的表面相反侧的表面上附着有金属材料，
所述第二可动电极相对于所述固定电极沿所述深度方向产生有位置偏移。
8.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，
所述可动电极沿与所述固定电极对置的方向移位，且用于检测入射到所述凹部中的声波。
9.根据权利要求8所述的MEMS传感器，其特征在于，
在比所述凹部更靠所述基板的基层的一侧，形成有与所述凹部连通的声波反射用空间。
10.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，
所述固定电极和所述可动电极的材料是钨。
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