[发明专利]一种1.55μmInN量子点单光子源无效
| 申请号： | 201010141639.3 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101840980A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 曲轶;杨旭;赵博;李辉;赵强;张斯钰;高欣;薄报学;刘国军 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林省长*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 1.55 minn 量子 光子 | ||
【权利要求书】：
1.本专利是一种1.55μm InN量子点单光子源，在蓝宝石衬底生长InN量子点，发光点尺寸100-150nm，发射波长可达到1.55μm。利用MBE生长低密度的InN量子点以满足单光子发射的需要。在制作单光子源工艺时，利用基本的光刻技术制作100nm左右直径的电流注入区，阳极氧化GaN形成自对准电流隔离区。最后形成100nm作用的电流注入区。采用梯度禁带宽度材料最佳化电流注入。利用带三维势能的自组装量子点抑制载流子的侧向扩散，提高量子效率。
2.根据权利要求1所述的长波长InN量子点单光子源，其特征在于，采用InN量子点材料制作量子保密通信用单光子源，发光点尺寸100-150nm，在室温下工作，发射波长达到1.55μm；
3.根据权利要求1所述的长波长InN量子点单光子源，其特征在于，利用基本的光刻技术制作100nm左右直径的电流注入区，阳极氧化GaN形成自对准电流隔离区。最后形成100nm作用的电流注入区。采用梯度禁带宽度材料最佳化电流注入。利用带三维势能的自组装量子点抑制载流子的侧向扩散，提高量子效率。
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