[发明专利]超级结半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010141064.5 | 申请日： | 2010-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102214561A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/15;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种超级结半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述超级结半导体器件的交替型P型半导体薄层和N型半导体薄层时包括如下步骤：
步骤一、在一N+硅基片上生长一层N型硅外延层，在所述N型硅外延层上生长一介质膜，利用光刻和刻蚀工艺形成沟槽；
步骤二、在所述沟槽侧壁淀积一层含碳硅层；
步骤三、在所述沟槽中淀积一P型半导体薄层填满所述沟槽，所述P型半导体薄层能为一P型硅层、或一P型硅层加一介质层、或一P型硅层加一不掺杂硅层；
步骤四、利用回刻或化学机械研磨将所述N型外延层表面的所述P型半导体薄层、所述含碳硅层以及所述介质膜去除。
2.如权利要求1所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：步骤二中所述含碳硅层能为N型、或P型、或本征型。
3.如权利要求1所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：步骤三中所述P型硅层能为P型单晶硅、或P型多晶硅、或P型不定型硅。
4.如权利要求5所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：所述P型单晶硅的生长温度为650℃到1200℃。
5.如权利要求5所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：所述P型多晶硅的生长温度为580℃到650℃。
6.如权利要求5所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：所述P型不定型硅的生长温度为510℃到579℃。
7.一种超级结半导体器件，包含交替型P型半导体薄层和N型半导体薄层，其特征在于：在所述P型半导体薄层和所述N型半导体薄层之间含有一层含碳硅层。
8.一种超级结半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述超级结半导体器件的交替型P型半导体薄层和N型半导体薄层时包括如下步骤：
步骤一、在一N+硅基片上生长一层N型硅外延层，在所述N型硅外延层上生长一介质膜，利用光刻和刻蚀工艺形成沟槽；
步骤二、在所述沟槽侧壁通过扩散工艺形成一层碳薄层；
步骤三、在所述沟槽中淀积一P型半导体薄层填满所述沟槽，所述P型半导体薄层能为一P型硅层、或一P型硅层加一介质层、或一P型硅层加一不掺杂硅层；
步骤四、利用回刻或化学机械研磨将所述N型外延层表面的所述P型半导体薄层以及所述介质膜去除。
9.如权利要求8所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：步骤三中所述P型硅层能为P型单晶硅、或P型多晶硅、或P型不定型硅。
10.如权利要求9所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：所述P型单晶硅的生长温度为650℃到1200℃。
11.如权利要求9所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：所述P型多晶硅的生长温度为580℃到650℃。
12.如权利要求9所述的超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：所述P型不定型硅的生长温度为510℃到579℃。
13.一种超级结半导体器件，包含交替型P型半导体薄层和N型半导体薄层，其特征在于：在所述P型半导体薄层和所述N型半导体薄层之间含有一层碳薄层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
