[发明专利]一种有机-无机杂化三阶非线性光学晶体材料及其合成方法无效
申请号: | 201010140796.2 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN102212879A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 周云山;汤万旭;张立娟;李豫豪 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C30B29/00 | 分类号: | C30B29/00;G02F1/355 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 无机 杂化三阶 非线性 光学 晶体 材料 及其 合成 方法 | ||
技术领域
本发明属于功能材料领域,具体涉及一种有机-无机三阶非线性光学晶体材料及其合成方法。
背景技术
非线性光学材料在光电通讯、光学信息处理、全光开关、光计算和集成电路等方面有重要的应用价值。三阶非线性光学材料是实现全光开关、光计算以及相位复共轭的基础,串、并联高位率数据处理的全光器件的效率,取决于光信号耦合时所用三阶非线性材料的性能。无机晶体是最早被研究的非线性光学材料,而且被应用于器件的研制中,有着较为广泛的应用。但无机非线性光学晶体材料响应时间长,制备工艺较困难,可选择种类单一,易潮解等缺点限制了它的应用。近几年来,有机化合物材料的三阶非线性光学性质成为了研究的热点,文献中报道的材料有聚硫苯、二茂铁衍生物等共扼有机聚合物、富勒烯、半导体和原子簇化合物等。有机分子、高聚物非线性光学材料因具有非线性光学系数大,透光波长范围宽,本征开关响应时间快,光学损伤阈值高,加工性能好等优点而受到科学研究者们的关注,但是却具有热稳定性差、可加工性不好、合成复杂等缺点。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术中的问题,提供一种不易潮解、合成方法简单、热稳定性高的有机-无机杂化三阶非线性光学晶体材料及其合成方法。
本发明所提供的一种有机-无机杂化三阶非线性光学晶体材料,谷氨酸内修饰的巨轮型纳米多酸晶体的分子式为
Na2Gd4[MoVI126MoV28O462H14(H2O)42(HOOCCH2CH2CH(NH3+)COO-)14]·ca.300H2O
本发明所提供的谷氨酸内修饰的巨轮型纳米多酸晶体的合成方法,包括以下步骤:
将浓度为0.27M GdCl3水溶液,在搅拌条件下,按照1∶1的体积比,加入到浓度为0.18M Na2MoO4水溶液中,混合后有白色沉淀生成,搅拌30min,将白色沉淀抽滤并用少量水冲洗;L-谷氨酸钠溶于浓度为0.5M盐酸溶液中,使L-谷氨酸钠浓度为0.047M,依次将上述白色沉淀和盐酸肼加入到上述L-谷氨酸钠的盐酸溶液中,盐酸肼与L-谷氨酸钠摩尔比为1∶9.4,于70℃的水浴中加热3h,溶液变浅蓝并逐渐加深,白色沉淀逐渐溶解,最终得到蓝色澄清溶液,溶液冷至室温过滤,所得溶液三天后得到蓝色方晶体,过滤,所得固体洗涤,自然风干,即得到有机-无机杂化三阶非线性光学晶体材料。元素分析及ICP结果(%)为C,2.1;H,2.5;N,0.4;Na,0.2;Gd,2.4;Mo,46.9。经红外光谱、紫外光谱、元素分析、ICP及热重分析测定其分子式为
Na2Gd4[MoVI126MoV28O462H14(H2O)42(HOOCCH2CH2CH(NH3+)COO-)14]·ca.300H2O
与现有三阶非线性材料相比较,本发明所提供的有机-无机杂化三阶非线性光学晶体材料(谷氨酸内修饰的巨轮型纳米多酸晶体)具有较大的非线性吸收及非线性折射系数,具有自聚焦性能,在常温下非常稳定,合成方法简单,原料易得,产率高。
附图说明
图1、谷氨酸内修饰的巨轮型纳米多酸晶体的乙醇/水(体积比1∶1)溶液Z-扫描开孔曲线;
其中实线为拟合后的理论曲线,黑色圆点为实际测量值;
图2、谷氨酸内修饰的巨轮型纳米多酸晶体的乙醇/水(体积比1∶1)溶液Z-扫描闭孔曲线;
其中实线为拟合后的理论曲线,黑色圆点为实际测量值;
以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明;
图3谷氨酸内修饰的巨轮型纳米多酸晶体的红外谱图;
图4谷氨酸内修饰的巨轮型纳米多酸晶体的紫外谱图;
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