[发明专利]发光元件、曝光头及图像形成装置无效
申请号: | 201010140730.3 | 申请日: | 2010-03-23 |
公开(公告)号: | CN101847693A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 藤田彻司;山本英利 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H04N1/028 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蒋亭;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 曝光 图像 形成 装置 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,具有:
阴极、
阳极、
在所述阴极与所述阳极之间设置的、含有发红色光的红色发光材料而构成的发光层、
在所述发光层与所述阴极之间设置的、含有第1电子输送材料而构成的第1电子输送层、以及
在所述发光层与所述第1电子输送层之间与它们相接触地设置的、含有与所述第1电子输送材料不同的第2电子输送材料而构成的第2电子输送层。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述红色发光材料为二茚并苝衍生物。
3.根据权利要求2所述的发光元件,其中,所述发光层含有并四苯衍生物而构成。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的发光元件,其中,所述第2电子输送层以三(8-羟基喹啉)铝为主材料而构成。
5.根据权利要求4所述的发光元件,其中,所述第2电子输送层含有红荧烯衍生物而构成。
6.根据权利要求5所述的发光元件,其中,所述第2电子输送层中的红荧烯衍生物的含有量为0.5wt%~20wt%。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的发光元件,其中,在将所述第2电子输送层的厚度设为A、将所述第1电子输送层的厚度设为B时,A/B为10%以上且不到90%,所述A和B的单位是nm。
8.根据权利要求1~7中任意一项所述的发光元件,其中,所述第2电子输送层的厚度为2nm~15nm。
9.根据权利要求1~8中任意一项所述的发光元件,其中,所述第1电子输送层的厚度与所述第2电子输送层的厚度的总厚度为10nm~100nm。
10.根据权利要求1~9中任意一项所述的发光元件,其中,所述第1电子输送层含有菲咯啉衍生物而构成。
11.根据权利要求1~10中任意一项所述的发光元件,其中,所述第1电子输送层与所述第2电子输送层的界面附近由所述第1电子输送材料和所述第2电子输送材料的混合材料构成。
12.一种曝光头,其特征在于,具备权利要求1~11中任意一项所述的发光元件。
13.根据权利要求12所述的曝光头,其中,沿着一个方向排列多个所述发光元件,在所述各发光元件的光的射出侧设有使来自所述各发光元件的光成像的成像光学系统。
14.一种图像形成装置,其特征在于,具备权利要求12或13所述的曝光头。
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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