[发明专利]IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺

权利要求书

1.一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺，其特征在于包括如下步骤：

1）氧化铝陶瓷基片清洗活化，并在氧化铝陶瓷基片的表面采用PVD工艺沉积一层1~2μm的铜膜；

2）铜箔清洗活化，并在铜箔表面采用CVD工艺交替沉积0.1μm厚的氧化亚铜和0.1μm厚的铜，沉积的氧化亚铜和铜的厚度为0.5~10μm；

3）将铜箔预压成型，使铜箔沿宽度方向成弧形后与氧化铝陶瓷基片一起放置在键合炉内进行高温键合，键合温度为1070~1130℃；

4）键合后的覆铜板冷却，覆铜板冷却时采用了热阶梯循环法进行冷却并消除应力，其步骤如下：

a）10分钟时间从键合温度降温至500℃；

b）2分钟时间从500℃升温至700℃；

c）8分钟时间从700℃降温至200℃；

d）2分钟时间从200℃升温至300℃；

e）8分钟时间从300℃降温至60℃以下后自然冷却。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺，其特征在于所述氧化铝陶瓷基片为氧化铝含量为65~99%的氧化铝陶瓷基片，氧化铝陶瓷基片的厚度为0.19~1.0mm。

3.根据权利要求1所述的一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺，其特征在于所述铜箔为无氧紫铜箔，厚度为0.1~0.3mm。

4.根据权利要求1所述的一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺，其特征在于键合炉为链带式氮气保护共晶键合炉，键合周期为5~10分钟。