[发明专利]一种利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法

权利要求书

1.一种利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法，其特征在于，所述射频SIM卡通过低频通道与其对应的读卡器进行近距离通信的距离控制，通过射频通道与所述读卡器进行交易，所述利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法包括：

步骤a，设置第一门限为启动交易的距离对应的低频磁场强度值，第二门限为低频磁场有效通信距离对应的低频磁场强度值，第三门限为最远交易距离对应的低频磁场强度值，所述第一门限大于或等于第三门限，所述第三门限大于或等于第二门限；

步骤b，射频SIM卡不断对读卡器发出的低频磁场强度进行检测，判断该低频磁场强度是否大于或等于所述第二门限，若是则接收并存储低频磁场信息；

步骤c，射频SIM卡进一步判断读卡器发出的低频磁场强度是否大于或等于所述第一门限，若是则射频SIM卡启动交易流程；

步骤d，在所述交易流程中，射频SIM卡检测读卡器发出的低频磁场强度并判断其是否小于所述第三门限，若是则中断本次交易。

2.根据权利要求1所述的利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法，其特征在于，所述步骤a中，所述第一门限、第二门限和第三门限的确定步骤为：

A.通过实验，使用射频SIM卡测量与该射频SIM卡配套的读卡器发射的低频磁场强度，确定低频磁场强度与距离的对应关系，并建立低频磁场强度与距离的对应表；

B.对照低频磁场强度与距离的对应表，根据启动交易距离的要求，设置启动交易的距离对应的低频磁场强度值为第一门限；根据低频磁场通信速率，结合射频SIM卡应用中需要低频磁场传输的数据量，计算出低频磁场有效通信距离，并设置低频磁场有效通信距离对应的低频磁场强度值为第二门限；根据最远交易距离控制的要求，设置最远交易距离对应的低频磁场强度值为第三门限。

3.根据权利要求1所述的利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法，其特征在于，所述步骤b中，若低频磁场强度小于所述第二门限，则射频SIM卡停止接收低频磁场信息并继续对读卡器发出的低频磁场强度进行检测。

4.根据权利要求1所述的利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法，其特征在于，所述步骤c中，若低频磁场强度小于所述第一门限，则执行步骤b。

5.根据权利要求1所述的利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法，其特征在于，所述步骤d中，在所述交易流程中，若低频磁场强度大于所述第三门限，则继续交易直至交易完成。

6.根据权利要求1所述的利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法，其特征在于，所述低频磁场为交变磁场，所述低频磁场的频率处于100Hz～125KHz的频率范围。

7.根据权利要求1所述的利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法，其特征在于，所述射频通道的工作频率处于超高频SHF频段、甚高频VHF频段或者特高频UHF频段。

8.根据权利要求1所述的利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法，其特征在于，所述射频通道的工作频率为433MHz、2.4GHz或5GHz。