[发明专利]一种纳米铁硅软磁材料无效
| 申请号: | 201010138198.1 | 申请日: | 2010-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN102208237A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
| 发明(设计)人: | 罗志敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市铂科磁材有限公司 |
| 主分类号: | H01F1/147 | 分类号: | H01F1/147;C22C38/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 铁硅软磁 材料 | ||
技术领域
本发明涉及一种磁性材料。
背景技术
软磁材料是一种具有低矫顽力和高磁导率的磁性材料,电磁性能优异。软磁材料易于磁化,也易于退磁,广泛用于电工设备和电子设备中,现有技术中应用最多的软磁材料是铁硅合金(硅钢片)以及铁镍合金。现有技术中的铁镍合金采用50%的铁和50%的镍合成软磁材料,但是由于金属镍的成本高,所以造成铁镍合金软磁材料的造价高,使软磁材料的使用受到一定的限制。
发明内容
为解决现有技术存在的问题,本发明提供了一种成本低、电磁性能高的纳米铁硅软磁材料。
本发明是这样实现的:
一种软磁材料,所述软磁材料是由纳米晶铁硅合金粉体组成的合金材料。
进一步:所述软磁材料由质量百分比为91~97%的纳米铁和质量百分比为3~9%的纳米硅组成。
优选的:所述软磁材料由质量百分比为93.5%的纳米铁和质量百分比为6.5%的纳米硅组成。
本发明提供的纳米铁硅软磁材料,铁硅合金纳米化后,其软磁性能进一步得到大幅度的提高,磁损耗大大降低,直流偏置力提高,尤其是大大降低了软磁材料的成本,大大扩大了软磁材料的使用范围。
具体实施方式
下面将结合具体实施例来详细说明本发明,在此本发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明,但并不作为对本发明的限定。
实施例1:
本实施例提供的软磁材料为由质量百分比为93.5%的铁和质量百分比为6.5%的硅组成的合金材料。
将上述质量百分比的原料进行熔炼,然后通过雾化器生成纳米级合金粉体软磁材料。
本实施例提供的纳米软磁材料磁损耗大大降低,电磁性能提高。经测试:
1、在测试条件50khz/1000gass(高斯)下时,其磁损耗为小于450mw/cm3(毫瓦/立方厘米);磁导率为60μ;
2、直流偏置能力:在100Oe(奥斯特)的磁场强度下,电感量保持率达70%以上时;磁导率为60μ。
实施例2:
本实施例提供的软磁材料为由质量百分比为91%的铁和质量百分比为9%的硅组成的合金材料。
将上述质量百分比的原料进行熔炼,然后通过雾化器生成纳米级合金粉体软磁材料。
本实施例提供的纳米软磁材料磁损耗大大降低,电磁性能提高。经测试:
1、在测试条件50khz/1000gass(高斯)下时,其磁损耗为小于450mw/cm3(毫瓦/立方厘米);磁导率为60μ;
2、直流偏置能力:在100Oe(奥斯特)的磁场强度下,电感量保持率达70%以上时;磁导率为60μ。
实施例3:
本实施例提供的软磁材料为由质量百分比为97%的铁和质量百分比为3%的硅组成的合金材料。
将上述质量百分比的原料进行熔炼,然后通过雾化器生成纳米级合金粉体软磁材料。
本实施例提供的纳米软磁材料磁损耗大大降低,电磁性能提高。经测试:
1、在测试条件50khz/1000gass(高斯)下时,其磁损耗为小于450mw/cm3(毫瓦/立方厘米);磁导率为60μ;
2、直流偏置能力:在100Oe(奥斯特)的磁场强度下,电感量保持率达70%以上时;磁导率为60μ。
以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明实施例的原理以及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只适用于帮助理解本发明实施例的原理;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明实施例,在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
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