[发明专利]全息凹面光栅负一级光刻胶监测系统无效
| 申请号： | 201010138150.0 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101807013A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄元申;皮道锐;田鑫;张大伟;倪争技;庄松林 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G02B5/18;G01J1/00 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 全息 凹面 光栅 一级 光刻 监测 系统 | ||
1.一种全息凹面光栅负一级光刻胶监测系统，其特征在于包括：
用于提供一种光刻胶不敏感的激光光源的监测激光源，其相对于全息凹面光栅中心设置，且使其与所述全息凹面光栅中心的连线与水平面平行；
设置在所述监测激光源和全息凹面光栅中心的连线上的凸透镜，用于将所述监测激光源发出的激光扩束，使扩束后的光覆盖所述全息凹面光栅的曝光面；
相对于所述全息凹面光栅负一级衍射聚焦点设置的光功率计，使其接收面能接收激光光源经所述全息凹面光栅的曝光面所形成的衍射光，其中，所述激光光源来自所述监测激光源；
与所述光功率计相连接的处理器，用于将所述光功率计接收到的光信号进行处理以获得衍射效率的变化曲线。
2.如权利要求1所述的全息凹面光栅负一级光刻胶监测系统，其特征在于：所述监测激光源为半导体激光器。
3.如权利要求1或2所述的全息凹面光栅负一级光刻胶监测系统，其特征在于：所述监测激光源发出的平面光波与所述全息凹面光栅中心轴所成角度在二十度与三十度之间，且与水平面平行。
4.如权利要求1所述的全息凹面光栅负一级光刻胶监测系统，其特征在于：所述监测激光源发出的激光经所述凸透镜扩束后的球面光波为所述全息凹面光栅曝光面的两倍。
5.如权利要求1所述的全息凹面光栅负一级光刻胶监测系统，其特征在于：所述光功率计的接收面放置在所述全息凹面光栅负一级衍射聚焦点后10毫米处。
6.如权利要求1所述的全息凹面光栅负一级光刻胶监测系统，其特征在于：所述处理器为计算机，所述光功率计通过串口与所述计算机连接。
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