[发明专利]半导体封装的金属部分上的金属可焊性保持涂层

权利要求书

1.一种从半导体阵列分割的半导体封装，所述半导体封装包括多个金属连接体，所述多个金属连接体包括分割之后的暴露表面以及所述暴露表面上的金属涂层的层，所述金属涂层的层配置用于保护所述多个金属连接体不受污染。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层是锡。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层是银。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层是金。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层是镍金。

6.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层是质密的金属颗粒沉积，其具有大的多边形晶体结构。

7.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层配置用于填充所述表面中的缝隙。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层配置用于保持金属可焊性。

9.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层配置用于防止金属氧化。

10.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属涂层具有防锈属性。

11.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述层的厚度约为0.35微米。

12.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述层的厚度约为1微米。

13.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个金属连接体还包括分割之后的非暴露表面，其中所述非暴露表面具有引线精整材料的层，其中所述层的厚度约10微米。

14.一种半导体封装，包括：外围边缘上的金属连接体；以及涂敷在至少一个表面之上的防锈溶液的层，其中所述防锈溶液配制用于保持金属可焊性。

15.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述防锈溶液是金属溶液。

16.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述防锈溶液是锡、银、金和镍金之一。

17.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述防锈溶液配制用于填充所述表面中的缝隙。

18.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述防锈溶液配制用于防止金属氧化。

19.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述表面具有一致的形貌。

20.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述至少一个表面包括所述金属连接体的侧壁。

21.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述层的厚度约为0.35微米。

22.如权利要求14所述的半导体封装，其中所述层的厚度约为1微米。

23.一种分割之后的半导体封装，所述半导体封装包括多个连接体，所述多个连接体包括：

a.分割之后的暴露表面，其中所述多个连接体的所述暴露表面具有金属涂层的层，其配置用于允许所述半导体封装不必在分割之后立即组装，其中所述金属涂层通过使用防锈溶液来形成；以及

b.分割之后的非暴露表面，其中所述多个连接体的所述非暴露表面涂敷有引线精整材料的层。

24.如权利要求23所述的半导体封装，其中防锈溶液是金属溶液。

25.如权利要求23所述的半导体封装，其中防锈溶液是锡、银、金和镍金之一。

26.如权利要求23所述的半导体封装，其中防锈溶液配制用于填充所述暴露表面中的缝隙。

27.如权利要求23所述的半导体封装，其中防锈溶液配制用于防止金属氧化。

28.如权利要求23所述的半导体封装，其中所述层的厚度约为0.35微米。

29.如权利要求23所述的半导体封装，其中所述层的厚度约为1微米。

30.如权利要求23所述的半导体封装，其中所述金属涂层配置用于保护所述多个连接体不受污染。

31.如权利要求23所述的半导体封装，其中所述引线精整材料的层的厚度约为10微米。