[发明专利]先进工艺控制的方法和装置有效
申请号: | 201010136008.2 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN101840207A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 蔡柏沣;曾衍迪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G05B19/04 | 分类号: | G05B19/04;H01L21/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 先进 工艺 控制 方法 装置 | ||
1.一种先进工艺控制方法,包括:
将一第一变数设定为初始值;
将一第二变数设定为初始值;
在先进工艺控制的控制下,根据上述第一和第二变数的每一个的函数来操作一工具;
测量一第一和第二参数,其中上述第一和第二参数是不同的,并且有关于上述工具的操作;
根据上述第一参数的函数,决定上述第一变数的一新变数值,并根据上述第二参数的函数与上述第二变数的一目前变数值,计算上述第二变数的一新变数值;以及
重复上述操作、测量、决定和计算步骤。
2.如权利要求1所述的先进工艺控制方法,其中上述计算步骤包括:
将上述第二参数乘以一第一权重系数,用以取得一第一加权值;
将上述第二变数的目前变数值乘以一第二权重系数,用以取得一第二加权值;以及
将上述第一加权值和第二加权值相加。
3.如权利要求2所述的先进工艺控制方法,包括选择介于0和1之间的数值作为上述第一权重系数,并且选择1减去上述第一权重系数的数值作为上述第二权重系数。
4.如权利要求1所述的先进工艺控制方法,上述操作上述工具的步骤包括在先进工艺控制的控制下,处理一半导体晶片。
5.如权利要求1所述的先进工艺控制方法,其中上述操作上述工具的步骤包括使用被先进工艺控制的上述工具来执行一半导体晶片的一蚀刻工艺。
6.如权利要求1所述的先进工艺控制方法,其中上述测量上述第二参数的步骤包括测量被上述蚀刻工艺移除的材料的厚度。
7.如权利要求6所述的先进工艺控制方法,其中上述第二变数代表一蚀刻率,并且上述计算上述第二变数的新变数值的步骤包括将上述第二参数除以上述蚀刻工艺的时间间距,以及根据上述第二变数的函数值调整上述蚀刻工艺的时间间距。
8.一种先进工艺控制装置,包括:
一工具;以及
一计算机,耦接于上述工具,上述计算机包括存储有一计算机程序的一计算机可读取媒体,当上述计算机程序被执行时,上述计算机执行下列步骤:
将一第一变数设定为初始值;
将一第二变数设定为初始值;
在先进工艺控制的控制下,根据上述第一和第二变数的每一个的函数来操作上述工具;
接收已测量的一第一和第二参数,其中上述第一和第二参数是不同的,并且有关于上述工具的操作;
根据上述第一参数的函数,决定上述第一变数的一新变数值,并根据上述第二参数的函数与上述第二变数的一目前变数值,计算上述第二变数的一新变数值;以及
重复上述操作、测量、决定和计算步骤。
9.如权利要求8所述的先进工艺控制装置,其中上述计算机程序执行的上述计算包括将上述第二参数乘以一第一权重系数以取得一第一加权值,且将上述第二变数的目前变数值乘以一第二权重系数以取得一第二加权值,以及将上述第一加权值和第二加权值相加。
10.如权利要求9所述的先进工艺控制装置,其中上述计算机程序执行的上述计算包括选择介于0和1之间的数值作为上述第一权重系数,并且选择1减去上述第一权重系数的数值作为上述第二权重系数。
11.如权利要求8所述的先进工艺控制装置,其中上述工具在先进工艺控制的控制下,处理一半导体晶片。
12.如权利要求8所述的先进工艺控制装置,其中上述工具在先进工艺控制的控制下,执行一半导体晶片的一蚀刻工艺。
13.如权利要求12所述的先进工艺控制装置,其中上述第二参数代表被上述蚀刻工艺移除的材料的厚度。
14.如权利要求13所述的先进工艺控制装置,其中
上述第二变数代表蚀刻率;以及
上述计算机程序进一步执行上述第二变数的新变数值的计算,上述计算包括将上述第二参数除以上述蚀刻工艺的时间间距,以及上述计算机程序进一步执行上述工具的操作,上述操作包括根据上述第二变数的函数调整上述蚀刻工艺的时间间距。
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