[发明专利]半导体装置和粘结片无效
| 申请号： | 201010135730.4 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102034800A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 林秀和;富田宽;相良润也;田久真也;户崎德大;黑泽哲也;北岛由贵子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 粘结 | ||
1.一种半导体装置，具有：
基板；
第1半导体芯片，设置在上述基板上；
第2半导体芯片，设置在上述第1半导体基板上，且背面进行了镜面处理；以及
粘结片，设置在上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片之间，且含有能捕获金属杂质离子的金属杂质离子捕获剂。
2.如权利要求1所述的半导体装置，所述金属杂质离子捕获剂包括络合剂、无机离子交换体、金属粉末中的至少一种。
3.如权利要求2所述的半导体装置，所述络合剂具有至少一个含有碳原子的环状骨架。
4.如权利要求2所述的半导体装置，所述无机离子交换体包括锆系化合物、锑系化合物、铋系化合物、锑-铋系化合物、镁-铝系化合物中的至少一种。
5.如权利要求2所述的半导体装置，所述金属粉末为硅粉末。
6.如权利要求5所述的半导体装置，所述硅粉末包括非晶硅、多晶硅中的至少一种。
7.如权利要求6所述的半导体装置，所述硅粉末的表面进行了粗面处理。
8.如权利要求7所述的半导体装置，所述硅粉末的表面进行了粗面处理，使得平均粗糙度大于等于1.0nm。
9.如权利要求1所述的半导体装置，所述金属杂质离子含有Cu、Fe、Au、Na、Ni、Co、Ti、Ta的离子中的至少一种。
10.如权利要求1所述的半导体装置，所述镜面处理为干法抛光。
11.一种粘结片，设置在设于半导体装置内部的第1半导体芯片、与设于上述第1半导体芯片上的第2半导体芯片之间，并含有能捕获金属杂质离子的金属杂质离子捕获剂。
12.如权利要求11所述的粘结片，所述金属杂质离子捕获剂包括络合剂、无机离子交换体、金属粉末中的至少一种。
13.如权利要求12所述的粘结片，所述络合剂具有至少一个含有碳原子的环状骨架。
14.如权利要求12所述的粘结片，所述无机离子交换体包括锆系化合物、锑系化合物、铋系化合物、锑-铋系化合物、镁-铝系化合物中的至少一种。
15.如权利要求12所述的粘结片，所述金属粉末为硅粉末。
16.如权利要求15所述的粘结片，所述硅粉末包括非晶硅、多晶硅的至少一种。
17.如权利要求16所述的粘结片，所述硅粉末的表面进行了粗面处理。
18.如权利要求17所述的粘结片，所述硅粉末的表面进行了粗面处理，使得平均粗糙度大于等于1.0nm。
19.如权利要求11所述的粘结片，所述金属杂质离子含有Cu、Fe、Au、Na、Ni、Co、Ti、Ta的离子中的至少一种。
20.如权利要求11所述的粘结片，所述粘结片含有环氧树脂。
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