[发明专利]一种超薄芯片的倒装式封装方法以及封装体

权利要求书

1.一种超薄芯片的倒装式封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一晶圆，所述晶圆的正面具有多个待封装的芯片结构；

在晶圆正面的芯片结构上的焊盘上粘贴导电薄膜，所述导电薄膜的上下表 面均具有粘性，所述导电薄膜是含有金属成分的树脂薄膜；

将粘贴有导电薄膜的晶圆切割成独立的芯片；

将导电薄膜与引线框架对应的引脚相互对准，从而将芯片粘贴在引线框架 上。

2.根据权利要求1所述的超薄芯片的倒装式封装方法，其特征在于，所述金 属为银。

3.根据权利要求1或2所述的超薄芯片的倒装式封装方法，其特征在于，所 述导电薄膜层中进一步含有焊料。

4.根据权利要求1所述的超薄芯片的倒装式封装方法，其特征在于，所述导 电薄膜的厚度范围是10μm至50μm。

5.根据权利要求1所述的超薄芯片的倒装式封装方法，其特征在于，所述在 晶圆正面粘贴导电薄膜的步骤进一步包括：

提供一支撑层；

在所述支撑层的表面上形成一层连续的导电薄膜；

图形化所述导电薄膜，使其位置和形状与晶圆正面焊盘相互对应；

将晶圆正面的焊盘与图形化的导电薄膜相互对准，从而将晶圆粘贴在所述 支撑层的表面上；

将支撑层移除，从而将图形化的导电薄膜粘贴在晶圆表面的焊盘上。

6.根据权利要求5所述的超薄芯片的倒装式封装方法，其特征在于，所述导 电薄膜的两个表面具有不同的粘附强度，并采用粘附强度较低的一个表面 与支撑层相互粘贴，以有利于粘贴晶圆后将支撑层移除。

7.一种采用权利要求1所述的方法形成的封装体，包括引线框架以及粘贴在 引线框架上的芯片，所述芯片的焊盘朝向引线框架，其特征在于，在芯片 的焊盘与引线框架的引脚之间设置有导电薄膜，所述导电薄膜的上下表面 均具有粘性，以粘合引线框架和芯片，所述导电薄膜是含有金属成分的树 脂薄膜。

8.根据权利要求7所述的封装体，其特征在于，所述导电薄膜的厚度范围是 10μm至50μm。

9.根据权利要求7所述的封装体，其特征在于，所述金属为银。

10.根据权利要求7所述的封装体，其特征在于，所述导电薄膜层中进一步含 有焊料。