[发明专利]非易失性存储设备及其读取方法有效
| 申请号: | 201010135485.7 | 申请日: | 2010-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN101833996A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
| 发明(设计)人: | 朴宰佑;权五锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非易失性 存储 设备 及其 读取 方法 | ||
1.一种读取非易失性存储设备的方法,所述方法包括:
读出存储在位于与已选择存储单元邻近的存储单元中的数据;以及
根据由存储在邻近存储单元中的数据确定的次序选择性地预充电选择存储单元的位线。
2.如权利要求1所述的方法,其中根据存储在邻近存储单元中的数据的逻辑状态、和这些逻辑状态是否被预计为导致已选择存储单元中的电干扰而将邻近存储单元划分成多个群组。
3.如权利要求2所述的方法,其中与所述多个群组中的每一个对应的已选择存储单元的位线在不同的时间被预充电。
4.如权利要求2所述的方法,其中所述多个群组包括一组侵扰者单元和一组非侵扰者单元。
5.如权利要求4所述的方法,其中侵扰者单元包括已经被从擦除状态编程为编程状态的存储单元。
6.如权利要求1所述的方法,其中根据随机化操作在非易失性存储设备内组织存储在已选择存储单元和邻近存储单元中的数据。
7.一种非易失性存储设备,包括:
单元阵列,包括多个存储单元;
页缓冲器,按照基于存储在与已选择存储单元邻近的存储单元中的数据的次序选择性地预充电已选择存储单元的位线;以及
控制逻辑,控制页缓冲器以在选择性预充电之前锁存存储在邻近存储单元中的数据,并且基于该锁存数据确定预充电的次序。
8.如权利要求7所述的非易失性存储设备,其中基于该锁存数据将邻近存储单元划分成侵扰者单元和非侵扰者单元,并且在不同于与非侵扰者单元邻近的已选择存储单元的时间读出与侵扰者单元邻近的已选择存储单元。
9.如权利要求8所述的非易失性存储设备,还包括:
电压产生器,提供用于读取与非侵扰者单元邻近的已选择存储单元的第一读电压、和用于读取与侵扰者单元邻近的已选择存储单元的第二读电压。
10.如权利要求8所述的非易失性存储设备,还包括随机化器,其被配置为执行随机化操作以重新排序将要存储在多个存储单元中的数据。
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