[发明专利]太阳能电池用光转换氟化物纳米粒子的制备无效
申请号: | 201010135355.3 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN102208480A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 连洪洲 | 申请(专利权)人: | 连洪洲 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人: | 王薇 |
地址: | 130022 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 用光 转换 氟化物 纳米 粒子 制备 | ||
技术领域:
本发明涉及一种太阳能电池用光转换氟化物纳米粒子的制备,属于合成光转换材料。
背景技术:
在世界范围内迫切需要开发和利用新能源和可再生能源,其中太阳能是世界能源结构转换中理想的替代能源;目前,世界各国政府均大力扶持太阳能光伏发电技术的研究与开发,并积极推进其产业化进程。而目前市场上的太阳能电池产品是晶体硅太阳能电池,主要是通过改善材料的处理工艺来提高硅电池的光电转换效率,但仅靠材料处理工艺的改进已经很难进一步提高能量的转换效率。硅半导体具有固定的带隙(1.12eV),因而无法将自然的太阳光能量完全吸收转换,只有波长小于1100nm的太阳光才能够在硅晶体中实现光电转换,而波长大于1100nm的红外光则无法被利用;另一方面,硅晶体对太阳光有效响应频谱的下限是400nrn,波长小于400nin的紫外光也无法被硅太阳能电池所利用。长波长光子(λ>1000nm)没有足够的能量来形成电子空穴对,它们只是穿过电池,这部分光子对太阳能的电池转换效率没有贡献;但其他一些光子的能量却很强。如果光子的能量比所需的能量多,则多余的能量会损失掉;因此,晶体硅对太阳光谱的有限利用已经成为制约硅太阳能电池能量转换效率的一个重要因素。
发明内容:
本发明的目的在于提供一种太阳能电池用光转换氟化物纳米粒子的制备,其将可见、长波长红外光等太阳光分别转换为波长为1100nm左右波长的红外光的高效光转换材料。
本发明的技术方案是这样实现的:太阳能电池用光转换氟化物纳米粒子的制备,其特征在于具体如下:
1、光转换光学活性组分:①稀土离子对(Er3+-Yb3+,Pr3+-Yb3+,Tm3+-Yb3+,Tb3+-Yb3+,Ho3+-Yb3+)掺杂纳米氟化物上转换活性组分
首先采用水热—溶剂热、微乳液方法合成纳米粒子,并将稀土离子掺杂进纳米粒子中,并将稀土离子掺杂入碱土金属氟化物SrF2、CaF2和稀土氟化物REF3、NaREF4、RE=La、Y等惰性稀土元素。
②活性组分宽带敏化吸收,光下转换材料在可见光波段的吸收以及光上转换材料在红外波段的吸收都要求是宽带吸收;分别调整不同掺杂离子以加宽材料的吸收带宽。
③通过向活性组分中加入不同的敏化离子,与稀土离子共掺杂,以提高光转化材料的转换效率。
④聚合物基体材料的选择,必须使纳米粒子与基体材料的折射率匹配,以减少或消除因折射率差异而引起的光色散;根据Trupke太阳能电池模型,下转换材料位于太阳能材料的前部,
⑤分散上述光学活性组分于聚合物单体或其溶液中并采用本体聚合或旋涂的方法制备聚合物基复合材料,并对复合材料内粒子分布、复合材料的光转换光学性质进行表征。
本发明的积极效果是采用绳子能量较低的纳米氟化物作为光学活性组分的基质以提高其量子效率外,同时研究不同碱金属离子(K+,Li+)作为激活剂与稀土离子对共掺杂,以提高光学活性组分的转换效率;下转换材料位于太阳能材料的前部,会引起入射光的反射与散射,从而导致太阳光能量损失,因此,减少或避免太阳光通过复合材料时的能量损失,对于提高太阳能电池转换效率起着重要作用;针对不同波段可见光探寻最佳的转换途径,以期获得较高的转换效率,最终达到提高太阳能电池转换效率的目的。
具体实施方式:
下面结合实施例对本发明做进一步的描述:
实施例1:
上、下转换宽带敏化吸收材料都是以Yb3+离子作敏化离子,然而Yb3+离子在1000nm左右的f-f吸收是一个相对较窄的吸收,而对于光转换材料而言,材料吸收带宽越宽越有利于光转换材料效率的提高,从而达到提高太阳能电池转换效率的目的;上转换材料的V3+、Cr3+及Mo3+,以及对应于下转换材料的Eu2+、Ce3+分别与各种材料的最佳掺杂浓度以及稀土离子对的相对掺杂浓度,寻求不同波长太阳光的最佳转换材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的