[发明专利]一种刻蚀图案引导制备氧化铝模板的方法无效

专利信息
申请号: 201010135291.7 申请日: 2010-03-30
公开(公告)号: CN101798701A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 赵敬忠 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C25F3/20 分类号: C25F3/20;C25D11/06
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 刻蚀 图案 引导 制备 氧化铝 模板 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于纳米材料技术领域,涉及一种刻蚀图案引导制备氧化铝模板的方法。

背景技术

近年来,阳极氧化由于能够制备出六边形排列的纳米孔而引起广泛关注。该模板廉价易得,一般的实验室都能制备。只要以一定浓度的草酸、硫酸或磷酸等为电解液,施加适当的电压对铝片进行阳极氧化,就可以获得自组装的纳米孔阵列,通过改变施加电压,阳极氧化时间或者电解液的温度,可以调整纳米孔洞的直径和深度。

然而现有技术中阳极氧化所得的氧化铝模板存在以下不足:一是纳米孔阵列和孔尺寸并不严格一致;二是在较大的面积范围内(微米级),纳米图案会出现较大偏差;三是纳米图案难以精密化。这些问题不解决,所使用的AAO模板将会把这些缺陷传递给所制备的纳米结构材料,影响所制备材料的性能。

多年来,人们采取多种方法来改善AAO模板的有序性,但效果不太理想。因此迫切需要制备高度有序化的模板来满足磁存储、光电子器件、生物传感器等方面的应用需要。

发明内容

本发明的目的是提供一种刻蚀图案引导制备氧化铝模板的方法,解决了现有技术中存在纳米孔阵列和孔尺寸不一致;在较大的面积范围内(微米级),纳米图案会出现较大偏差的问题。

本发明所采用的技术方案是,一种刻蚀图案引导制备氧化铝模板的方法,该方法按照以下步骤具体实施:

步骤1、选择高纯铝片为原料,经过机械抛光后,在氩气氛围中,450-550℃热处理12-24h,随后在质量浓度为0.4%-0.7%的氢氧化钠溶液中浸泡5-15min,依次用蒸馏水、酒精、丙酮浸泡,再用蒸馏水漂洗,然后在由高氯酸与乙醇体积比为1:3.5-4.5组成的电解液中进行电抛光,电抛光电压控制在12-15V;

步骤2、依据电解液所制备的氧化铝模板的结构尺寸设计纳米孔图案,用聚焦离子束在步骤1得到的电抛光铝片上刻蚀设计图案;

步骤3、以步骤2完成刻蚀图案的铝片为阳极,以Pt网为阴极,采用一次阳极氧化法制备氧化铝模板,阳极氧化参数为:电解液温度保持在0-5℃,电解液选用草酸、硫酸或磷酸,相应控制施加电压和阳极氧化时间,最后得到带有刻蚀设计图案的氧化铝模板。

本发明方法的有益效果是,制备的氧化铝模板,孔径和孔间距调整精确,与没有刻蚀的区域对比,刻蚀区域的纳米孔阵列和孔尺寸几乎完全一致。

附图说明

图1为本发明实施例6中设计图案为50nm孔径,400nm孔间距的高纯铝片SEM图;

图2为图1中的高纯铝片经离子束刻蚀后的SEM图;

图3为图2中刻蚀后的高纯铝片在0.2M的磷酸中阳极氧化后的SEM图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

本发明所述刻蚀图案引导制备氧化铝模板的方法,按照以下步骤实施:

步骤1、选择纯度为99.999%、厚度为0.3mm的高纯铝片为原料,经过机械抛光后,在氩气氛围中,450-550℃热处理12-24h,随后在质量浓度为0.4%-0.7%的氢氧化钠溶液中浸泡5-15min,依次用蒸馏水、酒精、丙酮浸泡,再用蒸馏水漂洗,然后在由高氯酸与乙醇体积比为1:3.5-4.5组成的电解液中进行电抛光,电抛光电压控制在12-15V。

步骤2、依据氧化铝模板的结构尺寸,设计孔径为50nm、孔间距在100nm-400nm之间的纳米孔图案,用聚焦离子束在步骤1得到的电抛光铝片上刻蚀设计图案。

步骤3、以步骤2完成刻蚀图案的铝片为阳极,以Pt网为阴极,采用一次阳极氧化法制备氧化铝模板,阳极氧化参数为:电解液温度保持在0-5℃,电解液选用0.3-0.35M的草酸,施加电压为60-65V,阳极氧化时间为100-120min;或选用0.3-0.35M的硫酸,施加电压为25-30V,阳极氧化时间为10-12min;或选用0.2-0.25M的磷酸,施加电压为140-150V,阳极氧化时间为10-12min,最后得到纳米孔阵列和孔尺寸几乎完全一致的氧化铝模板。

实施例1

步骤1、选择纯度为99.999%、厚度为0.3mm的高纯铝片为原料,经过机械抛光后,在氩气氛围中,在450℃热处理24h,随后在质量浓度为0.5%的氢氧化钠溶液浸泡5min,依次用蒸馏水-酒精-丙酮浸泡-蒸馏水漂洗,然后在由高氯酸与乙醇体积比为1:4组成的电解液中进行电抛光,电抛光电压为12V。

步骤2、设计孔径为50nm、孔间距为100nm的纳米孔图案,用聚焦离子束将该图案刻蚀在电抛光铝片上。

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