[发明专利]自适应可控硅调压方式的可调功率变换器

权利要求书

1.一种自适应可控硅调压方式的可调功率变换器，其特征在于所述变换器由续流电路、主电路和直流升压输出电路依次串接构成，其中主电路由关断保护电路、输入电源低频隔断电路和升压电路构成，关断保护电路的输入端接续流电路的输出端，关断保护电路的输出端分别接输入电源低频隔断电路和升压电路的输入端，升压电路的输出端接输入电源低频隔断电路的输入端，输入电源低频隔断电路的输出端接直流升压输出电路的输入端。

2.根据权利要求1所述的自适应可控硅调压方式的可调功率变换器，其特征在于所述续流电路与关断保护电路之间串接整流电路。

3.根据权利要求1或2所述的自适应可控硅调压方式的可调功率变换器，其特征在于所述关断保护电路的输入端串接滤波电路。

4.根据权利要求1或2所述的自适应可控硅调压方式的可调功率变换器，其特征在于所述关断保护电路由两个分压电阻和一个反相器构成，第一分压电阻的一端分别接升压电路的输入端、滤波电路或整流电路的输出端，第一分压电阻的另一端分别接第二分压电阻的一端和反相器的输入端，第二分压电阻的另一端分别接输入电源低频隔断电路的输入端、滤波电路或整流电路的输出端。

5.根据权利要求1或2所述的自适应可控硅调压方式的可调功率变换器，其特征在于所述关断保护电路由七个电阻R1～R7、MOS管Q1和三个二极管Q2～Q3构成，其中电阻R1的一端分别接电阻R3和R5的一端，电阻R1的另一端分别接MOS管Q1的栅极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端分别接MOS管Q1的源极、二极管Q2和Q3的发射极，电阻R3的另一端分别接MOS管Q1的漏极和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接二极管Q2的基极，电阻R5的另一端分别接二极管Q2的集电极和电阻R6的一端，电阻R6的另一端接二极管Q3的基极，二极管Q3的集电极串接电阻R7。

6.根据权利要求1或2所述的自适应可控硅调压方式的可调功率变换器，其特征在于所述续流电路由电容C1～C2和续流电感L1～L2构成，电容C1的一端接续流电感L1的一端，电容C1的另一端接续流电感L2的一端；电容C2的一端接续流电感L1的另一端，电容C2的另一端接续流电感L2的另一端。

7.根据权利要求1所述的自适应可控硅调压方式的可调功率变换器，其特征在于所述升压电路由升压电感构成。

8.根据权利要求1所述的自适应可控硅调压方式的可调功率变换器，其特征在于所述输入电源低频隔断电路由输入电源低频隔断电容、PWM模块和MOS管Q4构成，其中PWM模块的一端接关断保护电路的输出端，PWM模块的另一端接MOS管Q4的源极，PWM模块的第三端接MOS管Q4的栅极，MOS管Q4的漏极分别接升压电路的输出端和输入电源低频隔断电容的输入端，输入电源低频隔断电容的输出端接直流升压输出电路的输入端。