[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层下的有源层；

在所述有源层下的第二导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上的第一电极；

在所述第一导电半导体层的上表面上形成的至少一个凹槽；

在所述凹槽中设置的带隙为2.5eV～3.0eV的材料；和

在所述第二导电半导体层下的第二电极层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个凹槽在所述第一导电半导体层的上表面上具有预定形状。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述预定形状基本上为矩形。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述材料为透光材料。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个凹槽沿所述化合物半导体层的上表面的周边部分形成。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述材料包括氧化物。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述材料为氧化钨和氧化钼中的一种。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个凹槽具有0.01μm～1.0μm的厚度。

9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述第二电极层和所述第二导电半导体层的周边部分之间的沟道层、在所述第二导电半导体层和所述第二电极层之间的欧姆层、或者在所述第二导电半导体层和所述第二电极层之间的电流阻挡层中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层是N型半导体层，所述第二导电半导体层是P型半导体层。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层、所述有源层或者所述第二导电半导体层中的至少一种由In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)制成。

12.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述透光材料层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃或者TiO₂中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个凹槽为锥形或者金字塔形。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述凹槽在所述第一导电半导体层中形成为闭环形。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个凹槽具有0.01μm～100μm的宽度。

16.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层，其中所述第一导电半导体层具有第一宽度和第二宽度，所述第一宽度和第二宽度的宽度差不大于100μm，所述宽度差围绕所述第一导电半导体层的周边形成台阶外形或者倾斜外形；

在所述第一导电半导体层下的有源层；

在所述有源层下的第二导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上的第一电极；和

在所述第二导电半导体层下的第二电极层。

17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述差不大于50μm。