[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括具有透光性的第一导电层的第一电极；

与所述第一电极电连接并包括所述第一导电层和第二导电层的层叠结构的第一布线，其中所述第二导电层的电阻低于所述第一导电层的电阻；

形成在所述第一电极和所述第一布线上的绝缘层；

形成在所述绝缘层上并包括具有透光性的第三导电层的第二电极；

与所述第二电极电连接并包括所述第三导电层和第四导电层的层叠结构的第二布线，其中所述第四导电层的电阻低于所述第三导电层的电阻；

包括具有透光性的第五导电层形成的第三电极；以及

形成在所述第二电极和所述第三电极上并与所述第一电极以夹着所述绝缘层的方式重叠的半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

像素电极与所述第三电极电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层的一部分在所述第三导电层与所述第四导电层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二导电层的透光性高于所述第一导电层的透光性，

并且所述第四导电层的透光性高于所述第三导电层的透光性。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二导电层和所述第四导电层分别包括从由铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锰(Mn)及钕(Nd)组成的组中选择的至少一种的金属材料、化合物、合金或上述金属的氮化物。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层具有透光性。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层是氧化物半导体层。

8.一种半导体装置，包括：

包括具有透光性的第一导电层的第一电极；

与所述第一电极电连接并包括所述第一导电层和第二导电层的层叠结构的第一布线，其中所述第二导电层的电阻低于所述第一导电层的电阻；

包括具有透光性的第三导电层的第二布线；

形成在所述第一电极、所述第一布线和所述第二布线上的绝缘层；

形成在所述绝缘层上并包括具有透光性的第四导电层的第二电极；

与所述第二电极电连接并包括所述第四导电层和第五导电层的层叠结构的第三布线，其中所述第五导电层的电阻低于所述第四导电层的电阻；

包括具有透光性的第六导电层形成的第三电极；

在所述第二布线上以夹着所述绝缘层的方式设置的具有透光性的第七导电层；以及

形成在所述第二电极和所述第三电极上并与所述第一电极以夹着所述绝缘层的方式重叠的半导体层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

像素电极与所述第三电极电连接。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二布线形成在与所述第三布线重叠的区域中，

并且所述第二布线包括所述第三导电层和电阻低于所述第三导电层的电阻的导电层的层叠结构。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第七导电层与像素电极电连接。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第七导电层通过接触孔与像素电极电连接，

并且所述第二布线形成在与所述接触孔重叠的区域中并包括所述第三导电层和电阻低于所述第三导电层的电阻的导电层的层叠而形成。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层的一部分在所述第四导电层与所述第五导电层之间。

14.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二导电层和所述第五导电层具有透光性。