[发明专利]一种生产高纯钴的方法

权利要求书

1.一种生产高纯钴的方法，其特征在于(1)将CoSO₄溶液或CoSO₄加CoCl₂的混合溶液通入特殊的离子交换树脂进行净化处理，(2)再通入电解槽进行电积，(3)将电积钴进行真空脱气和真空熔炼而得到高纯钴铸锭。

2.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于直接用去离子水水溶硫酸钴CoSO₄.7H₂O制备钴浓度为60-100g/L(克/升)的钴盐溶液，然后加H₂SO₄调节钴盐溶液的pH值至1-3。

3.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于直接用去离子水水溶硫酸钴CoSO₄.7H₂O和盐酸钴CoCl₂.6H₂O制备钴浓度为60-100g/L(克/升)的钴盐溶液，然后加H₂SO₄或HCl调节钴盐溶液的pH值至1-3。CoSO₄和CoCl₂的比例大于4∶1。

4.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于将权利要求2所述钴盐溶液或权利要求3所述钴盐溶液用离子交换和活性炭吸附的方法进行净化处理；离子交换树脂至少包括对除Fe有良好效果的Diphonix树脂和对除Ni有良好效果的M-4195树脂；离子交换之后进行活性炭吸附处理。

5.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于将按权利要求4的方法净化处理的CoSO₄溶液或CoSO₄+CoCl₂混合溶液通入电解槽进行电积得到电积高纯钴。电积阴极电流密度为100～300A/m²(安/平米)，钴盐溶液温度为50～70℃。

6.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于将电积高纯钴进行真空脱气；真空脱气温度在800℃以下。在大大低于钴熔点温度的真空脱气可以避免脆性硫化钴的产生，这对高纯钴的形变加工有利。

7.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于将经过真空脱气处理的高纯电积钴进行真空熔炼制备高纯钴铸锭。真空熔炼的方法可以是真空感应熔炼、真空电子束熔炼和真空自耗电极电弧熔炼等。

8.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于连续加入适量的、浓度适当的、未净化处理的钴盐溶液以平衡系统内因电积和水分蒸发而出现的钴浓度的变化。

9.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于确定适当的离子交换树脂体积，以保证不会因为连续加入未净化处理的钴盐溶液而引起电解槽内电解液杂质含量的升高。

10.根据权利要求1所述的一种生产高纯钴的方法，其特征在于合理控制未净化处理的钴盐溶液浓度及添加速度和合理选择离子交换树脂体积及离子交换条件，从而达到电解槽内稳定的钴浓度和稳定的杂质含量，进而保证高纯钴产品质量的稳定。