[发明专利]一种半导体存储器、半导体存储器系统及其对应编程方法

权利要求书

1.一种存储用户数据的半导体存储器，具有存储阵列，其特征在于，所述存储器还具有与所述存储阵列相连的位反转装置，所述位反转装置用于将所述用户数据进行位反转处理后输出到所述存储阵列。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位反转装置具有判断单元和反转单元。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述判断单元用于判断所述用户数据是否需要反转，并输出判断结果的反转标记。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述反转单元连接于所述判断单元，用于依据所述反转标记将所述用户数据进行位反转处理后输出到所述存储阵列。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，

当所述反转标记为高电平时，所述反转单元将所述用户数据进行位反转后输出到所述存储阵列；

当所述反转标记为低电平时，所述反转单元直接将所述用户数据输出到所述存储阵列。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，

当所述用户数据中“0”位元的个数比“1”位元个数多时，所述判断单元输出高电平的反转标记；

当所述用户用户数据中“0”位元的个数少于或等于“1”位元个数时，所述判断单元输出低电平的反转标记。

7.如权利要求1至6中任一项权利要求所述的存储器，其特征在于，所述位反转装置对所述用户数据进行位反转处理后输出位反转数据到存储阵列中存储，所述存储器还具有读取反转单元，所述读取反转单元用于将存储阵列中存储的所述位反转数据进行位反转处理后输出存储器。

8.如权利要求3至6中任一项权利要求所述的存储器，其特征在于，所述判断单元具有电流比较器，所述电流比较器具有两电流输入端，所述电流比较器对所述两电流输入端输入的电流进行比较，输出判断结果的反转标记。

9.一种存储用户数据的半导体存储器的编程方法，所述存储器具有存储阵列，其特征在于，所述存储器具有与所述存储阵列相连的位反转装置，所述编程方法包含步骤：利用所述位反转装置将所述用户数据进行位反转处理后输出到所述存储阵列。

10.如权利要求9所述的编程方法，其特征在于，将所述用户数据进行位反转处理具体包含步骤：

判断所述用户数据是否需要反转，并输出判断结果的反转标记；

依据所述反转标记，对所述用户数据进行位反转或直接输出所述用户数据。

11.如权利要求10所述的编程方法，其特征在于，

当用户数据中“0”位元的个数比“1”位元个数多时，所述反转标记为高电平“1”；

当用户数据中“0”位元的个数少于或等于“1”位元个数时，所述反转标记为低电平“0”。

12.一种半导体存储器系统，包含控制器及与所述控制器相连接的存储器，所述存储器具有存储阵列，其特征在于，所述存储器还具有与存储阵列相连的位反转装置，所述位反转装置用于将所述用户数据进行位反转处理后输出到所述存储阵列。

13.如权利要求12所述的存储器系统，其特征在于，所述位反转装置具有判断单元和反转单元，其中，

所述判断单元用于判断所述用户数据是否需要反转，并输出判断结果的反转标记；

所述反转单元连接于所述判断单元，用于依据所述反转标记将所述用户数据进行位反转处理后输出到所述存储阵列。

14.如权利要求13所述的存储器系统，其特征在于，

当用户数据中“0”位元的个数比“1”位元个数多时，所述反转标记为高电平“1”；

当用户数据中“0”位元的个数少于或等于“1”位元个数时，所述反转标记为低电平“0”。