[发明专利]硅微纳米结构光伏太阳能电池

权利要求书

1.硅微纳米结构阵列光伏太阳电池，它含有透明氧化物导电层、n型硅微纳米结构阵列层、p型硅微纳米结构阵列层、p型硅基底层、铝金属膜背电极层，其特征在于：所述太阳能转换装置含有依次相叠的下述各层，

(1)透明氧化物导电薄膜层位于n型硅微纳米结构阵列层之上，作为正面引出电极；

(2)n型硅微纳米结构阵列层位于p型硅微纳米结构阵列层之上，其作用是与p型硅微纳米结构阵列层形成三维p-n结，产生光生伏特效应；

(3)p型硅微纳米结构阵列层位于P型硅基底层之上，其作用是与n型硅微纳米结构阵列层形成三维p-n结，产生光生伏特效应，同时作为太阳电池的基区；

(4)P型硅基底层，位于铝金属膜背电极之上，其作用是作为太阳能电池的基区；

(5)铝金属膜背电极，其作用是作为背面引出电极。

2.根据权利要求1所述的硅微纳米结构阵列光伏太阳电池，其主要特征在于：透明氧化物导电薄膜层(1)和P型硅基底层(4)之间含有硅微纳米结构三维p-n结。

3.根据权利要求1所述的硅微纳米结构阵列光伏太阳电池，其主要特征在于：所述步骤(2)的p型硅微纳米结构可以是硅微米线，硅纳米线，硅微米洞，硅纳米洞等阵列结构。

4.根据权利要求1所述的硅微纳米结构阵列光伏太阳电池，其主要特征在于：所述步骤(2)的n型硅微纳米结构层可以通过热扩散技术在p型硅微纳米结构表面扩散形成n型硅层得到。

5.根据权利要求1所述的硅微纳米结构阵列光伏太阳电池，其主要特征在于：所述步骤(2)的n型硅微纳米结构层可以通过化学气相沉积等技术在p型硅微纳米结构表面沉积n型硅层得到。