[发明专利]一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管无效
| 申请号： | 201010130843.5 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101834182A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 宋波;韩雁;董树荣;马飞;黄大海;李明亮;苗萌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/78;H01L23/60 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 动态 栅极 电阻 调制 耦合 nmos | ||
【权利要求书】：
1.一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管，用于核心电路的ESD防护，其特征在于，包括：
一GCNMOS管(M1)，漏极连接核心电路的输入端，源极和衬底直接接地，栅极通过一电阻(Rg)接地；
一NMOS管(M2)，与电阻(Rg)并联，漏极连接GCNMOS管(M1)的栅极，源极和衬底接地，栅极连接核心电路的VDD电源线。
2.根据权利要求1所述的栅极耦合NMOS管电路，其特征在于：所述的电阻大小为10～50kΩ。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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