[发明专利]相变存储器存储单元的制作方法有效
| 申请号： | 201010130267.4 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194993A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;洪中山;廖映雪;余磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 存储 单元 制作方法 | ||
1.一种相变存储器存储单元的制作方法，该方法包括：
在第一氧化硅层的表面依次沉积氮氧化硅层和第二氧化硅层；
刻蚀第二氧化硅层形成第一通孔，以显露出氮氧化硅层；
在所述第一通孔内沉积氮化硅层，以形成侧壁间隔；
刻蚀第一通孔底部的氮化硅层、氮氧化硅层和第一氧化硅层形成第二通孔，以与第一氧化硅层下的器件层电性连接；
在第二通孔内部依次沉积钛/氮化钛层Ti/TiN和金属钨层；
回刻etch back金属钨层至第二通孔内剩余金属钨的高度高于预定高度，所述预定高度位于第一氧化硅层和第二氧化硅层之间；
采用气体六氟化硫SF6、氯气Cl2和三氯化硼BCl3，回刻Ti/TiN和金属钨至金属钨的高度达到预定高度，而Ti/TiN与金属钨的高度相平或高于金属钨的高度；
在所述第二通孔内填充相变层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，回刻过程在刻蚀反应腔内进行，所述刻蚀反应腔内回刻Ti/TiN和金属钨的气体SF6的流量相比于Cl2和BCl3的总流量为0.2～1。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，回刻过程在刻蚀反应腔内进行，回刻金属钨包括主刻蚀过程和过刻蚀过程，所述沉积Ti/TiN的厚度为100～300埃，金属钨的厚度为1～2.5千埃时，所述刻蚀反应腔内过刻蚀金属钨的时间为3～10秒。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述Cl2的流量为15～45标准立方厘米每分钟sccm；BCl3的流量为0～30sccm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010130267.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
