[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一基板；

一第一多层介电层；

一第一导孔延伸穿越该第一基板及一层或多层该第一多层介电层；以及

一第二导孔延伸穿越该第一基板及一层或多层该第一多层介电层，该第二导孔所穿越该第一多层介电层的层数多于该第一导孔所穿越该第一多层介电层的层数。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

一有源元件位于该第一基板上；以及

多个金属化层设置于该有源元件之上，其中最接近该第一基板的一第一金属化层电性连接该第一导孔与该有源元件。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括一导电层相对于该有源元件位于该第一基板相对侧，该导电层与该第一导孔电性连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

一第二基板；

一第二多层介电层；

一第三导孔延伸穿越该第二基板及一层或多层该第二多层介电层；以及

一第四导孔延伸穿越该第二基板及一层或多层该第二多层介电层，该第四导孔所穿越该第二多层介电层的层数多于该第三导孔所穿越该第二多层介电层的层数，其中该第四导孔电性连接至该第二导孔。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中该第三导孔电性连接至该第一导孔，此乃通过位于该第一多层介电层中的金属化层连接。

6.一种半导体装置，包括：

一第一半导体芯片包括一第一基板；

一第一导电孔延伸穿越该半导体芯片；以及

一第二导电孔延伸部分地穿越该第一半导体芯片，该第二导电孔延伸穿越该第一基板。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括多个介电层位于该第一基板之上，其中该第二导电孔延伸穿越一单一的介电层位于邻近于该第一基板。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括一有源元件位于该第一基板上，其中该有源元件通过一金属化层与该第二导电孔电性连接。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：

一第二半导体芯片包括一第二基板；

一第三导电孔延伸穿越该半导体芯片，其中该第三导电孔电性连接至该第二导电孔；以及

一第四导电孔延伸穿越该第二半导体芯片的程度较少于该第四导电孔延伸穿越该第二基板的程度。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一第一基板；

形成一层或多层第一介电层于该第一基板之上；

形成一第一导电孔延伸穿越该第一基板及所述一层或多层第一介电层；

形成多层第二介电层于所述一层或多层第一介电层和该第一基板之上；以及

形成一第二导电孔延伸穿越该第一基板、所述一层或多层第一介电层、及该多层第二介电层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包括：

形成一有源元件位于该第一基板上；以及

形成一第一金属化层于该有源元件之上，该第一金属化层电性连接该第一导电孔与该有源元件。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中所述形成该第一导电孔的步骤还包括：

形成一开口于该基底的一第一面上；

将一导电材料填入该开口中；以及

薄化该基板的一第二面，相对于该第一面，以露出该导电材料。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包括将一第三导电孔连接至该第二导电孔，该第三导电孔延伸穿透一第二基板。