[发明专利]非易失性存储设备及其操作方法有效
申请号: | 201010129599.0 | 申请日: | 2010-03-04 |
公开(公告)号: | CN101853699A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 朴晸壎;李城秀 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 设备 及其 操作方法 | ||
1.一种包含存储单元的非易失性存储设备的操作方法,所述方法包括:
对编程数据随机化以产生随机化编程数据;
保存随机化编程数据;
擦除一部分随机化编程数据,以产生擦除数据;以及
在后续读操作期间,响应在非易失性存储设备中所保存的标记单元状态数据,或者(1)从存储单元获得所保存的随机化编程数据,并且对所保存的随机化编程数据进行去随机化以产生读数据;或者(2)从存储单元获得擦除数据,并且对擦除数据不进行去随机化以产生读数据。
2.如权利要求1所述的操作方法,其中,标记单元状态数据指示要从存储单元所获得的数据是擦除数据还是编程数据。
3.如权利要求1所述的操作方法,其中,对编程数据随机化包括:
基于与编程数据相对应的地址产生种子;
基于该种子产生随机密钥;以及
利用该随机密钥对编程数据进行随机化。
4.如权利要求3所述的操作方法,其中,通过对编程数据和随机密钥执行异或操作来实现对编程数据的随机化。
5.一种非易失性存储设备,包括:
存储单元阵列,具有以行和列形式排列的存储单元;
页面缓冲电路,被配置为从存储单元阵列读数据;以及
随机数据接口,被配置为对被编程到存储单元阵列的编程数据随机化,并且对从存储单元阵列中所选择存储单元所获得的读数据去随机化,
其中,随机数据接口进一步被配置为,响应所选择存储单元的编程/擦除状态,在没有去随机化的情况下从存储单元阵列输出读数据。
6.如权利要求5所述的非易失性存储设备,其中,根据非易失性存储设备中所存储的标记单元状态数据来确定所选择存储单元的编程/擦除状态。
7.如权利要求6所述的非易失性存储设备,其中,随机数据接口进一步被配置为,基于标记单元状态数据确定是否所有的所选择存储单元具有擦除状态。
8.如权利要求5所述的非易失性存储设备,其中,随机数据接口进一步被配置为,当标记单元状态数据指示所选择存储单元具有编程状态时,输出去随机化数据。
9.如权利要求5所述的非易失性存储设备,其中,通过从所选择存储单元读取数据位来确定所选择存储单元的状态。
10.如权利要求9所述的非易失性存储设备,其中,当从所选择存储单元读取的所有数据位的值为‘1’时,在没有去随机化的情况下将读数据输出给外部设备。
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