[发明专利]一种提纯硅的方法

权利要求书

1.一种提纯硅的方法，其特征在于，步骤如下：

(1)将由4N或5N级铝和4N或5N级硅制备的铝硅合金和待提纯硅紧密接 触地置于封闭环境后抽真空，当气压低于10^-2Pa时加热，铝硅合金熔化形成铝硅 熔体；

(2)控制加热装置，使铝硅熔体和待提纯硅的界面温度达到900℃，且铝硅 熔体的自由端温度达到800℃，此后保持恒温，使铝硅熔体的自由端析出提纯硅；

(3)提纯硅的结晶开始析出后，与析出硅的生长速度同步地调整加热装置， 保持铝硅熔体两端的温度；

(4)当待提纯硅溶解完毕时，降温至室温，恢复气压后取出炉料，将析出的 提纯硅切下。

2.如权利要求1所述的提纯硅的方法，其特征在于，所述铝硅合金制备方法 为：取4N或5N级铝和待提纯硅，按照硅为26％、铝为74％的重量百分比混合， 将铝硅混合物在气压低于10^-2Pa的条件下熔化，当铝硅混合均匀后，迅速停止加 热，冷却后得到铝硅合金。

3.如权利要求1或2所述的提纯硅的方法，其特征在于，所述待提纯硅的重 量为所述铝硅合金的重量的80％-120％。

4.一种提纯硅的方法，其特征在于，步骤如下：

(1)将4N或5N级铝和待提纯硅紧密接触地置于封闭环境后抽真空，当气 压低于10^-2Pa时开始加热，当铝和硅的温度均达到800℃时保持恒温，使部分硅溶 解在铝中形成铝硅熔体；

(2)待溶解在铝中的部分硅溶解均匀后，控制加热装置，保持铝硅熔体温度 为800℃，而将未溶解硅的温度提升，当铝硅熔体和硅的界面温度达到900℃时， 溶质硅开始向铝硅熔体一侧扩散，并析出提纯硅；

(3)提纯硅的结晶开始析出后，与析出硅的生长速度同步地调整加热装置， 保持铝硅熔体两端的温度；

(4)当待提纯硅溶解完毕时，降温至室温，恢复气压后取出炉料，将析出的 提纯硅切下。

5.如权利要求4所述的提纯硅的方法，其特征在于，所述待提纯硅的重量与 所述铝的重量比为106％-146％∶74％。