[发明专利]一种一次扩散制备选择性发射极的方法

权利要求书

1.一种一次扩散制备选择性发射极的方法，其特征是依次具有如下工艺步骤：先将硅片制绒，接着进行均匀重扩散，扩散后在硅片表面沉积氮化硅薄膜，然后将腐蚀性浆料印在硅片的非金属电极区以刻蚀掉该处的氮化硅薄膜，最后用酸溶液或碱溶液腐蚀掉非金属电极区的硅得到浅扩散区，电极区即为重扩散区。

2.根据权利要求1所述的一种一次扩散制备选择性发射极的方法，其特征是：所述的硅片是P型或N型的单晶硅或多晶硅，其电阻率是0.2～10Ωcm。

3.根据权利要求1所述的一种一次扩散制备选择性发射极的方法，其特征是：所述的氮化硅薄膜的厚度为30-200nm。

4.根据权利要求1所述的一种一次扩散制备选择性发射极的方法，其特征是：所述的酸溶液为HF酸和HNO₃的混合溶液，其中HF酸的浓度为20-150g/l，HNO₃浓度为20-350g/l；碱溶液为KOH溶液或NaOH溶液，KOH溶液或NaOH溶液浓度为0.1wt％-5wt％；用酸溶液或碱溶液腐蚀的时间为1-30min，温度为5-90℃。