[发明专利]半导体器件、传输系统及它们的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010129272.3 申请日: 2010-03-09
公开(公告)号: CN101840911A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 河村拓史 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01P7/08
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 宋鹤;南霆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 传输 系统 它们 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

半导体电路元件,其配置来处理具有预定频率的电信号;以及

传输线,其配置来经由导线与所述半导体电路元件连接,并且传输所述电信号,

其中,在所述传输线中设置有阻抗匹配图案,所述阻抗匹配图案具有关于所述传输线的方向对称的形状。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述传输线设置在所述半导体电路元件上。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述阻抗匹配图案具有关于所述传输线的方向对称的圆形形状。

4.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述阻抗匹配图案的谐振频率根据所述传输线的一端与所述阻抗匹配图案之间的距离而移动,具有所需频率的所述电信号被传输。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述半导体电路元件由具有预定介电常数的绝缘保护构件覆盖,并且

所述阻抗匹配图案的谐振频率根据所述保护构件的所述介电常数而移动,具有所需频率的所述电信号被传输。

6.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述预定频率处于毫米波频带。

7.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

为所述传输线设置多个接地电极,并且

所述多个接地电极被关于所述传输线的方向对称地设置。

8.一种传输系统,包括:

第一半导体器件,其配置为包括处理具有预定频率的电信号的第一半导体电路元件、经由导线与所述第一半导体电路元件连接并且传输所述电信号的第一传输线、以及将从所述第一传输线传输的电信号转换为电磁波信号并发送所述电磁波信号的第一天线部分;以及

第二半导体器件,其配置为包括接收从所述第一天线部分发送的所述电磁波信号并将所述电磁波信号转换成具有所述预定频率的电信号的第二天线部分、传输由所述第二天线部分的转换得到的电信号的第二传输线、以及经由导线与所述第二传输线连接并处理由所述第二传输线传输的电信号的第二半导体电路元件,

其中,在所述第一传输线和所述第二传输线中设置有阻抗匹配图案,这些阻抗匹配图案分别具有关于所述第一传输线的方向和所述第二传输线的方向对称的形状。

9.如权利要求8所述的传输系统,还包括:

电介质传输路径,其配置成设置在所述第一半导体器件和所述第二半导体器件之间并且具有预定的介电常数,所述电介质传输路径将所述电信号从所述第一半导体器件传输到所述第二半导体器件。

10.如权利要求9所述的传输系统,其中,

具有预定介电常数的粘弹性构件设置在所述第一、第二半导体器件与所述电介质传输路径之间。

11.如权利要求10所述的传输系统,其中,

所述电介质传输路径和所述粘弹性构件使用丙烯酸类树脂基材料、聚氨酯树脂基材料、环氧树脂基材料、硅酮基材料和聚酰亚胺基材料中的至少一种电介质材料。

12.如权利要求8所述的传输系统,其中,

所述预定频率处于毫米波频带。

13.如权利要求8所述的传输系统,其中,

为所述传输线设置多个接地电极,并且

所述多个接地电极被关于所述传输线的方向对称地设置。

14.一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括如下步骤:

形成处理具有预定频率的电信号的半导体电路元件;

在衬底上形成传输所述电信号的传输线并形成阻抗匹配图案,所述阻抗匹配图案具有关于所述传输线的方向对称的形状;

将所述半导体电路元件设定在所述衬底上;以及

将所述传输线经由导线连接到所述半导体电路元件。

15.如权利要求14所述的用于制造半导体器件的方法,还包括如下步骤:

在所述衬底上形成具有预定介电常数的绝缘保护构件。

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