[发明专利]极薄半导体封装无效

专利信息
申请号: 201010128800.3 申请日: 2010-03-08
公开(公告)号: CN102194770A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: S·诺恩德哈希特希查埃;S·希里诺拉酷尔 申请(专利权)人: 优特泰国有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/48
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;郑菊
地址: 泰国*** 国省代码: 泰国;TH
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种封装,包括:

(a)第一半导体管芯;

(b)具有多个已形成引线的已形成引线框,每个引线具有第一端和第二端,所述第一端位于所述第一半导体管芯附近但与其间隔开,并且基本上处于第一平面水平,而所述第二端基本上处于第二平面水平,其中所述第二平面水平高于所述第一平面水平;

(c)电耦合装置,用于在所述第一半导体管芯上的至少一个垫片与至少一个所述第一端之间进行电耦合;以及

(d)在所述第一半导体管芯周围以及在所述引线之间形成的树脂,使得所述封装具有与所述引线框的厚度基本上相等的厚度。

2.根据权利要求1所述的封装,其中所述引线框和所述封装具有127到500微米范围内的厚度。

3.根据权利要求1所述的封装,其中所述第二端在所述封装的顶部和底部暴露于所述封装的边缘。

4.根据权利要求1所述的封装,其中所述第二端在所述封装的顶部、但是不在其底部暴露于所述封装的边缘。

5.根据权利要求1所述的封装,其中所述第二端在所述封装的底部、但是不在其顶部暴露于所述封装的边缘。

6.根据权利要求1所述的封装,其中所述第二平面水平高于所述第一平面水平的量比所述第一半导体管芯要厚。

7.根据权利要求1所述的封装,其中所述第二平面水平高于所述第一平面水平的量比所述第一半导体管芯要薄。

8.根据权利要求1所述的封装,其中所述第二平面水平高于所述第一平面水平的量基本上是所述第一半导体管芯的相同厚度。

9.根据权利要求1所述的封装,其中所述第一半导体管芯被倒置,并且倒装芯片键合至一个或多个所述第一端。

10.根据权利要求9所述的封装,其中所述第一半导体管芯的背侧是暴露的。

11.根据权利要求9所述的封装,其中所述键合由焊球形成。

12.根据权利要求9所述的封装,其中所述键合由支撑盘形成。

13.根据权利要求9所述的封装,其中所述第一半导体管芯的背侧由所述树脂覆盖。

14.根据权利要求1所述的封装,其中所述半导体管芯的背侧暴露于所述第一端之间,并且所述电耦合装置包括布线键合。

15.根据权利要求14所述的封装,进一步包括:叠置在所述第一半导体管芯上并且与其电隔离的第二半导体管芯,其中所述第二半导体管芯的至少一个垫片与至少一个所述引线电耦合。

16.根据权利要求1所述的封装,进一步包括:与所述第一端基本上共面的管芯附接垫,其中所述半导体管芯安装在所述管芯附接垫上,并且所述电耦合装置包括布线键合。

17.根据权利要求1所述的封装,进一步包括:通过叠置至少两个封装而形成的系统,使得一个封装的所述引线与另一封装的所述引线邻接定位并且电耦合。

18.根据权利要求1所述的封装,进一步包括:用以增强键合的、所述引线上的镀覆面。

19.根据权利要求1所述的封装,进一步包括:用以增强板焊的、所述引线框上的镀覆面。

20.一种形成封装的方法,包括:

(a)提供第一半导体管芯;

(b)形成具有多个已形成引线的引线框,每个引线具有第一端和第二端,所述第一端位于所述第一半导体管芯附近但与其间隔开,并且基本上处于第一平面水平,而所述第二端基本上处于第二平面水平,其中所述第二平面水平高于所述第一平面水平;

(c)在所述第一半导体管芯上的至少一个垫片与至少一个所述第一端之间进行电耦合;以及

(d)在所述第一半导体周围以及在所述引线之间形成树脂,使得所述封装具有与所述引线框的厚度基本上相等的厚度。

21.根据权利要求20所述的方法,其中所述引线框和所述封装具有127到500微米范围内的厚度。

22.根据权利要求20所述的方法,所述第二端在所述封装的顶部和底部暴露于所述封装的边缘。

23.根据权利要求20所述的方法,所述第二端在所述封装的顶部、但是不在其底部暴露于所述封装的边缘。

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