[发明专利]稳压器

说明书

技术领域

本发明涉及稳压器。

背景技术

对传统的稳压器进行说明。图2是表示传统稳压器的电路图。

如果输出电压Vout比规定电压高，即分压电路86的分压电压 Vfb比基准电压Vref高，则误差放大器88的控制电压Vc变高，PMOS 晶体管54的栅极电压也变高，因此减少PMOS晶体管54的驱动能 力，并动作成使输出电压Vout变低。此外，如果输出电压Vout比规 定电压低，则通过与上述相反的动作，动作成使输出电压Vout变高。 所以输出电压Vout保持一定。

此外，若PMOS晶体管54处于过电流供给状态，则PMOS晶体 管52中流过的电流也成比例地增大，若在电阻82两端产生的电压差 变大，则NMOS晶体管61处于导通状态。如果在NMOS晶体管61 中流过的电流增大，且在电阻81两端产生的电压差变大，则PMOS 晶体管51导通，控制电压Vc变高。在这种情况下PMOS晶体管54 的驱动能力减少，输出电压Vout变低。如此防止元件因过电流而发 生的损坏。

另外通过电流源71、72的启动电流使过电流保护电路可靠地启 动。PMOS晶体管52、53电流镜连接。为了方便说明，在使这些尺 寸相等的情况下，这些栅极-源极电压相等，所以流过它们的电流相 等。在这里，流过PMOS晶体管52的电流和流过PMOS晶体管55 的电流相等。此外，流过PMOS晶体管53的电流和流过PMOS晶体 管56的电流相等，而且流过PMOS晶体管57的电流也因电流镜连 接的NMOS晶体管62、63而相等。因此，流过PMOS晶体管55、 56、57的栅极电流也相等。在此，因为PMOS晶体管55、56、57的 栅极电压也相等，所以PMOS晶体管55、56、57的源极电压相等， 所以他们的栅极-源极间电压成为相等。因此，输出电压Vout(PMOS 晶体管57的源极电压)和电压Va(PMOS晶体管55的源极电压) 及电压Vb(PMOS晶体管56的源极电压)成为相等。在此，若电源 电压VDD和输出电压Vout的差异大，则PMOS晶体管52～54在饱 和区动作，若小，则在非饱和区动作，不管在哪种情况下，输出电压 Vout与电压Va、Vb相等，所以PMOS晶体管52、53、54的动作状 态也相等(例如，参照专利文献1：日本特开2003-029856号公报)。

发明内容

但是在传统的技术中，在轻负载的情况下，从Vout流出的电流 微少时，即过电流保护电路没有必要工作时，电流源71、72也使启 动电流流过，所以不能减少稳压器的消耗电流。

本发明鉴于上述课题构思而成，提供消耗电流少的稳压器。

为了解决上述课题，本发明的具备了过电流保护电路的稳压器， 具体构成如下。

提供一种稳压器，其特征在于具备：比较基于输出电压的电压和 基准电压的误差放大器；使用误差放大器输出的电压进行控制的输出 晶体管；具有读出输出晶体管的输出电流的第一读出晶体管的过电流 保护电路；以使输出晶体管的漏极电压和第一读出晶体管的漏极电压 相等的方式动作的电压控制电路，电压控制电路具有令用于启动电压 控制电路的启动电流流过的电流电路，电流电路流出的启动电流响应 输出晶体管的输出电流而受限制。

(发明效果)

在本发明中，无输出电流流动时，也不会流过用于启动电压控制 电路的启动电流，因此减少了稳压器的消耗电流。

附图说明

图1是表示本发明的稳压器的电路图。

图2是表示传统稳压器的电路图。

具体实施方式

以下，参考附图，说明本发明的实施方式。

首先，对稳压器的结构进行说明。图1是表示本发明的稳压器的 电路图。

本实施方式的稳压器包括PMOS晶体管15、分压电路46、误差 放大器48、过电流保护电路91及电压控制电路92。过电流保护电路 91具有PMOS晶体管11、12、16；电阻41、42；以及NMOS晶体 管21。电压控制电路92具有PMOS晶体管13、14、17、18；电流 源31；以及NMOS晶体管22、23、24、25、26。