[发明专利]用于鉴别半导体晶片在热处理期间的错误位置的方法

权利要求书

1.在利用红外发射器加热且对于红外辐射可透射的加工室内进行热 处理期间鉴别半导体晶片(1)的错误位置的方法，其中半导体晶片(1) 位于旋转的基座(2)的圆形凹槽(3)内，并借助红外发射器及控制系 统将半导体晶片保持在预定的温度，利用高温计(7)测定热辐射，求得 测量信号的波动振幅，若该振幅超过预定的最大值，则认为半导体晶片 (1)的位置错误，其特征在于，高温计(7)的取向使得由高温计(7) 检测的测量斑(6)部分地位于半导体晶片(1)上并且部分地位于半导 体晶片(1)以外的基座(2)上，而该错误位置是基座(2)的凹槽(3) 内的偏心位置。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，若认为半导体晶片(1) 定位于基座(2)的凹槽(3)的中心位置，则所述测量斑(6)的直径的 10至90％位于半导体晶片(1)上。

3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所述振幅的最大值被 定义在测量信号的平均值的1至4％的范围内。

4.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所述热处理用于在半 导体晶片上沉积外延层。

5.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，被认为位置错误的各 个半导体晶片在热处理之后作标记，以指示处理有缺陷。

6.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，除了高温计的测量信 号以外，还将表示基座在旋转期间的当前位置的信号作为时间的函数加 以记录，并在被认为位置错误的情况下将这些数据用于确定必须如何校 正用于将半导体晶片送入加工室内的自动输送装置的移动，从而使下一 个半导体晶片避免位置错误。