[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010125795.0 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194748A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 安霞;郭岳;云全新;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/265;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供锗基半导体衬底，所述锗基半导体衬底具有多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区，所述有源区上具有栅极介质层和栅极介质层之上的栅极，所述有源区包括源漏扩展区和深源漏区；
对所述源漏扩展区进行第一离子注入工艺，所述第一离子注入工艺中的注入离子包括硅或碳；
对所述源漏扩展区进行第二离子注入工艺；
对所述深源漏区进行第三离子注入工艺；
对经过第三离子注入工艺之后的锗基半导体衬底进行退火工艺。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述锗基半导体衬底为P型，所述第二离子注入工艺和/或第三离子注入工艺中注入N型杂质。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述锗基半导体衬底包括体锗衬底、锗覆绝缘衬底或硅基外延锗衬底。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述N型杂质包括P、As和Sb中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火工艺包括快速热处理退火、激光退火或闪光退火。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的掺杂剂量为1×e13至1×e16atom/cm2。
7.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三离子注入工艺的掺杂剂量为5×e14至1×e16atom/cm2。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，源漏扩展区进行硅或碳注入后在锗沟道中引入平行于沟道方向的单轴张应力和垂直于沟道平面压应力。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对经过第三离子注入工艺之后的锗基半导体衬底进行退火工艺的步骤前还包括：在所述栅极两侧形成侧墙。
10.一种半导体器件，包括：
锗基半导体衬底，
所述锗基半导体衬底中的多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区，
所述有源区上的栅极介质层和栅极介质层之上的栅极，所述有源区包括源漏扩展区和深源漏区；
其特征在于，所述源漏扩展区内具有硅或碳杂质；
所述硅或碳杂质通过对所述源漏扩展区进行第一离子注入工艺而掺杂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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