[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基底；

一埋藏n+层，设置于该基底中；

一n型外延层，设置于该埋藏n+层之上；

一p型阱，设置于该n型外延层中；

一源极n+区域，设置于该p型阱中且一端连接至一源极接触；

一第一绝缘层，设置于该p型阱和该n型外延层的顶部；

一栅极，设置于该第一绝缘层的顶部；以及

一电极，自该埋藏n+层延伸至一漏极接触，其中该电极通过一第二绝缘层而与该n型外延层和该p型阱绝缘。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该电极为一金属电极或一多晶硅电极。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该埋藏n+层接触该金属电极的一部分为n+型掺杂。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该p型阱邻接该源极n+区域的一部分为p+型掺杂且连接至该源极接触。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一绝缘层为一高电压氧化层。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二绝缘层为一氧化层，且具有一环形，环绕该金属电极。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一半导体基底；

注入一埋藏n+层于该基底中；

形成一n型外延层于该埋藏n+层之上；

注入一p型阱于该n型外延层中；

沉积一第一绝缘层于该p型阱和该n型外延层的顶部，其中该第一绝缘层仅覆盖用于一栅极的一特定区域；

形成该栅极于该第一绝缘层的顶部；

注入一源极n+区域于该p型阱中；

蚀刻一沟槽于该n型外延层中及/或该p型阱中以露出该埋藏n+层且提供用来形成一漏极电极和一氧化物绝缘层的空间；

沉积一氧化物于该沟槽中；

实施该氧化物的化学机械研磨步骤；

蚀刻位于该沟槽中的氧化物以形成一孔洞，其延伸至该埋藏n+层；

进一步注入一n+区域于该孔洞所露出的该埋藏n+层区域中；以及

形成一漏极电极于该孔洞中。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该栅极是通过实施多晶硅沉积和蚀刻步骤而形成。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该漏极电极为金属，且该漏极电极是通过沉积和蚀刻于孔洞中的金属而形成。

10.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该漏极电极为多晶硅，且该漏极电极是通过沉积和蚀刻于孔洞中的多晶硅而形成。

11.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括：

注入一p+区域邻接该p型阱中的该源极n+区域；以及

形成一源极接触连接该p+区域和该源极n+区域。