[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

支撑基底，包括在该支撑基底的顶面上的凹陷部分，所述凹陷部分具有 在其侧壁上的斜面；

第一发光元件，设置在所述凹陷部分的底面上；和

第二发光元件，设置在所述第一发光元件和所述支撑基底上，其中

所述第一发光元件在其顶面和底面上分别包括第三电极和第四电极，

所述第二发光元件在其顶面和底面上分别包括第五电极和第六电极，并 且

所述第一发光元件通过所述第三电极电连接到所述第六电极。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中

第一电极包括在所述支撑基底的接近所述第一发光元件的一侧且在所 述凹陷部分之外的表面上，并且第二电极包括在所述凹陷部分的底面上，以 及

所述第二电极沿所述凹陷部分的所述斜面延伸，并且电连接到所述第一 电极。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中

所述第一发光元件通过所述第四电极电连接到所述第二电极。

4.如权利要求3所述的发光装置，其中

所述第四电极的面积大于所述第二电极的面积。

5.如权利要求3所述的发光装置，其中

所述第四电极的面积小于所述第二电极的面积。

6.如权利要求2所述的发光装置，其中

所述第二发光元件在其底面上包括电连接到所述第一电极的第七电极， 并且

所述第一电极的面积大于所述第七电极的面积。

7.如权利要求2所述的发光装置，其中

所述第二发光元件在其底面上包括电连接到所述第一电极的第七电极， 并且

所述第一电极的面积小于所述第七电极的面积。

8.如权利要求3所述的发光装置，其中

所述第三电极的高度等于所述第一电极的高度。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述支撑基底在第一硅基板和第二硅基板之间包括氧化膜，

所述凹陷部分设置在所述第二硅基板中，并且

所述凹陷部分的深度对应于所述第二硅基板的厚度。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述支撑基底是硅基板。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一发光元件和所述第二发光元件的每一个都是半导体激光器。

12.如权利要求11所述的发光装置，其中

所述第一发光元件的发射波长为400nm波段。

13.如权利要求11所述的发光装置，其中

所述第二发光元件包括具有不同发射波长的多个发光点。

14.如权利要求13所述的发光装置，其中

所述第二发光元件包括发射波长为600nm波段的光的发光点和发射波 长为700nm波段的光的发光点。

15.一种制造发光装置的方法，包括：

第一步骤，在支撑基底上形成凹陷部分，所述凹陷部分具有在其侧壁上 的斜面；

第二步骤，用第一接合材料将第一发光元件固定到所述支撑基底的所述 凹陷部分的底面；以及

第三步骤，用第二接合材料将第二发光元件固定在所述第一发光元件和 所述支撑基底上，其中

所述第一发光元件在其顶面和底面上分别包括第三电极和第四电极，

所述第二发光元件在其顶面和底面上分别包括第五电极和第六电极，并 且

所述第一发光元件通过所述第三电极电连接到所述第六电极。