[发明专利]一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺，包括边缘刻蚀及残余物清除步骤，其特征在于，使用喷墨设备将腐蚀性浆料喷涂于扩散后并去除磷硅玻璃的硅片表面四周，然后将硅片进行干燥，再用去离子水清洗硅片边缘的残留物。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺，其特征在于，具体步骤为，通过喷墨设备控制浆料喷涂量以及边缘腐蚀范围，将腐蚀性浆料喷涂于扩散后并去除磷硅玻璃的硅片表面四周，使边缘腐蚀控制在0.2mm范围以内；将喷涂有腐蚀浆料的硅片置于温度为150-200℃条件下3-5min；烘干后硅片用去离子水冲洗5-10min。

3.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺，其特征在于，所述的腐蚀性浆料为含有10-20%四甲基氢氧化氨（TMAH）的碱性腐蚀浆料。